Составители:
Рубрика:
ность тока через образец j = 10
3
А/м
2
, а эффективная масса дырок
m*=1,12 m
o.
22. Определить, во сколько раз дрейфовая скорость электронов в герма-
таллов успешно реализуются в технологических процессах
Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и ди-
электрических материалов: Учебник для вузов. - М.: Высшая школа,
ка
ой техники:
Учебник для вузов.- 3-е изд.- СПб
.: Лань, 2001.-368 с.
нии n-типа с N
д
= 10
22
м
-3
отличается от дрейфовой скорости электронов
в меди при пропускании через них электрического тока одинаковой плот-
ности j = 10
4
A/м
2
. Объясните причину различия скоростей.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Представленный в данном учебном пособии физико-химический
подход обеспечивает научные основы технологии полупроводниковых ма-
териалов, который находит свое применение в научных исследованиях и
технологии полупроводникового производства.
Существующие и развивающиеся методы получения полупроводни-
ковых крис
производства, а получение кристаллов с заданными свойствами по сущест-
ву является стартовым
процессом, от которого зависит качество полупро-
водниковых приборов и интегральных схем.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Таиров
1990. – 423 с.
2. Фистуль В.И. Физи и химия твердого тела: Учебник для вузов.-
М.:Металлургия, 1995.-480 с.
3. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронн
- 77 -
