Составители:
Рубрика:
16.Определить, как изменится концентрация электронов в арсениде гал-
лия, легированном цинком до концентрации N
Zn
= 10
22
м
-3
, при повышении
температуры от 300 до 500 К. Полагать, что при 300 К все атомы цинка
полностью ионизированы.
17. Кристалл арсенида индия легирован серой так, что избыточная кон-
массы плот-
ителей заряда в антимониде ин-
5780 кг/м
3
.
е, определить точный состав твердой фазы и концентрацию дефек-
с концентрацией доноров N
д
= 10
22
м
-3
, если
центрация доноров N
д
- N
а
= 10
22
м
-3
. Можно ли считать, что при темпера-
туре Т = 300
0
С электрические параметры этого полупроводника близки
параметрам собственного арсенида индия, если эффективные
ности состояний для электронов m* = 0,023 m
о
, для дырок m
*
= 0,43 m
о
, а
ширина запрещенной зоны InAs изменяется с температурой по закону
E
g
=0,462-3,5
.
10
-4
.
Т (эВ).
18. В кристалле антимонида индия на каждые 10
6
атомов сурьмы
приходится один атом кремния и два атома олова. Определить концентра-
ции электронов и дырок в этом полупроводнике при комнатной темпера-
туре, если собственная концентрация нос
дия n
i
= 2
.
10
22
м
-3
, а его плотность d =
19. В результате прецизионных структурных исследований установлено,
что период решетки кристалла арсенида галлия а = 0,565298 нм, а его
плотность d = 5316,62 кг/м
3
. Полагая, что единственным видом нестехио-
метрических дефектов структуры являются вакансии в металлоидной под-
решетк
тов. Плотность GaAs стехиометрического состава принять равной
5318 кг/м
3
.
20. Определить тепловую и дрейфовую скорости электронов при
300 К в германии n-типа
плотность тока через образец j = 10
4
А/м
2
, а эффективная масса электро-
нов проводимости m* = 0,12 m
o.
21. Оценить тепловую и дрейфовую скорости дырок при 300 К в
кремнии р-типа с концентрацией акцепторов N
а
= 10
21
м
-3
, если плот-
- 76 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 74
- 75
- 76
- 77
- 78
- …
- следующая ›
- последняя »
