Составители:
Рубрика:
4. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. - М.: Высшая школа,
7.
редисловие…………………………………………………………… 3
Введение …………………………………………………………….. 3
1.
Чистые и св ……. 4
.1. Характеристика веществ высокой чистоты...……………………. 4
1.2
1.3.Кл
вещес ……………………………………………………. 8
1.4
1.5. К убокой очистки…………...…..… 12
1.5
п ……… 12
1.5.2.
1.5.3. перекристаллизация (зонная плавка)...…………………. 21
1975.
5. Смит Р. Полупроводники. - М.: Иностранная литература, 1962.-с.435.
6. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию полупроводников.- М.:
Высшая школа, 1982.- 528 с.
Курносов А.М. Материалы для полупроводниковых приборов и ин-
тегральных микросхем. - М.: Высшая школа, 1980.
Оглавление
П
ерхчистые вещества...………………………
1
. Физико-химические основы очистки веществ………………..…… 7
ассификация и общая характеристика методов очистки
тв………………
. Характеристика химических методов очистки…………………..… 10
ристаллизационные методы гл
.1.Равновесный и эффективный коэффициент распределения
римеси………………………………………………………
Направленная кристаллизация……………………………………. 18
Зонная
Во
2.
2.1. О й фазы..………………………… 29
2.2
2.3. М ………….. 40
Вопросы и задания к главе 2 …………………………………………… 49
3. Получение и свойства основных полупроводниковых
просы и задания к главе 1……………………………………………. 27
Рост кристаллов.……………………….……………………….. 29
бразование зародышей твердо
. Кинетика и механизм роста кристаллов.....………………………… 35
етоды выращивания монокристаллов .........…………
- 78 -
