Составители:
Рубрика:
Поскольку установлено, что концентрации дефектов и соответствующих
носителей тока связаны пропорциональной зависимостью:
[V
В
]
,
·[А
i
]=K
3
n
e
или
[V
А
]
,
·[А
i
]=K
4
n
р
(3.9)
то, учитывая выражения (3.6 - 3.9), получим:
n ·n =K
(3.10)
где
K
учитывает все предыдущие константы.
е р 5
,
5
Соотношение (3.10) является уже известным выражением, связываю-
щим концентрации собственных носителей тока в полупроводниках.
Используя соо ношения (3.6) – (3.9), можно получить зависимость, связы-т
вающую концентрацию носителей тока в полупроводниках с парциальным
давлением одного из компонентов (рис. 3.6). Из этой зависимости следует,
что, регулируя со
отношение давления паров компонентов при синтезе
кристаллов, можно получать кристаллы заданной проводимости.
симость между концентрацией
A
II
B
VI
и давлением паров ме-
Рис. 3.6. Качественная зави-
носителей тока в системах
талла
Практическое применение в настоящее время получили лишь некото-
рые материалы из группы соединений
A
II
B
VI
.
Сульфид цинка известен
больше как люминофор и используется в производстве электронно-
лучевых приборов. Удельное сопротивление кристаллов сильно зависит
8
—10
14
Ом·см, то есть от условий получения и колеблется в пределах 10
- 72 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 70
- 71
- 72
- 73
- 74
- …
- следующая ›
- последняя »
