Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. Ежовский Ю.К - 66 стр.

UptoLike

Из мышьяковистых соединений применяются пока только арсениды ин-
дия и галлия. InAs в Холла и высоко- используется для изготовления датчико
частотных ис О «ли с упр со- транз торов. днако дером» реди пол оводниковых
е ий гру н ее я сч рс я. Он динен этой ппы в астоящ врем итается а енид галли
идет на и лен вето , и онн ро вых лазе-зготов ие с диодов нжекци ых полуп воднико
ров, туннельных диодов. Уже зработана промышленная технология -ра сверх
больших и аль схе БИС арсе галли ая нтегр ных м (С ) на ниде я, использующ
М и Г тр тор ранз с вляющ ЕП- МЕП- анзис ы (т исторы упра ими переходами
металл-по од и с рос рны реходо лупров ник гете трукту м пе м). На арсениде
г изг ва мн лем ки, ср е-аллия отавли ются огие э енты СВЧ-техни еди которых сл
д мет од на тающ одноименном эфует от ить ди ы Ган , рабо ие на фекте.
В заклю отметим, вой и воз ости пчение что с ства можн рименения полу-
проводник
III
B стоя время иовых соединений типа A
V
в на щее нтенсивно изуча-
ю ри о ред е ется нитридам алю тся. П этом ос бое п почтени отда миния, галлия и
и как козонным рово ам, сп ым рандия широ полуп дник особн ботать при повы-
шенных те ператур . Эти атериалы представляют также ачительный ин-м ах м зн
т в св ер ива исп овани тоэлекерес язи с п спект ми их ольз я в оп тронике и СВЧ-
технике. Сведений лучению и свойствам нитридов алю по по миния, галлия и
индия не так много, как по рассмотренным соединениям этой группы полупро-
водников, поэтому приведем лишь их общую характеристику.
Нитрид алюминия получают прямым взаимодействием элементов или
металла с аммиаком при температурах 1100-1500
о
С.
А1N вещество голубовато-белого цвета с плотностью 3,26 г/см
3
. Кри-
сталлизуется по типу вюртцита с периодами а = 3,11 и с = 4,97 Å. Темпе-
ратура плавления нитрида алюминия 2200 °С. Нитрид алюминия неустой-
чив на воздухе, медленно разлагается с выделением аммиака. При сплав-
лении с едкими щелочами также выделяется аммиак. С кислородом не
взаимодействует до 1200 °С, после чего заметно начинает окисляться. А1N
обнаруживает типично полупроводниковый ход температурной зависимо-
- 66 -