Различные виды нанотехнологий - принудительная сборка атомных и молекулярных структур и самосборка нанообъектов. Часть 6. Евдокимов И.Н - 24 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

РГУНиГ им. Губкина | Москва

Составители: 

Рубрика: 

24
стоянного тока можно с высокой точностью измерять нерегу-
лярные поверхности, но измерения занимают больше време-
ни.
Сканирующая туннельная спектроскопия (СТС) являет-
ся, наряду с измерениями топографии, другой важной обла-
стью приложения СТМ. В первом приближении образ, со-
ставленный из значений тока туннелирования, отражает то-
пографию поверхности образца. Если же говорить более
точ-
но, туннельный ток соответствует электронной плотности
состояний поверхности. В действительности, СТМ регистри-
рует количество заполненных или незаполненных электрон-
ных состояний вблизи поверхности Ферми в диапазоне зна-
чений энергии, определяемом прикладываемым рабочим на-
пряжением. Можно сказать, что СТМ измеряет скорее не фи-
зическую топографию, а поверхность постоянной вероятно-
сти туннелирования (
Куейт, 1988; Howland and Benatar,
2000; Weisendanger, 1994). На рисунке 2.8 показан СТМ-
отображение изменений плотности электронных состояний
атомов железа, формирующих на кристалле меди-111 при
температуре 4К «квантовый коралловый риф» диаметром 14,3
нм.
Рисунок 2.8. СТМ-отображение
изменений плотности электрон-
ных состояний. Атомы Fe на кри-
сталле Cu(111), 4К.
Чувствительность СТМ к локальной электронной струк-
туре может вызвать затруднения, если необходимо картогра-
фировать топографию (т.е. получить изображение рельефа
поверхности). Например, если какой-то участок образца окис-
лен, то, когда острие сканирующей иглы попадет на него,
туннельный ток резко уменьшится. СТМ, работающий в ре-

Страницы