Различные виды нанотехнологий - принудительная сборка атомных и молекулярных структур и самосборка нанообъектов. Часть 6. Евдокимов И.Н - 25 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

РГУНиГ им. Губкина | Москва

Составители: 

Рубрика: 

25
жиме постоянного тока, даст команду острию приблизиться к
поверхности, чтобы поддержать установленную величину то-
ка туннелирования. В результате острие может углубиться в
поверхность. В то же время, чувствительность СТМ к элек-
тронной структуре может быть огромным преимуществом.
Более традиционные спектроскопические методы, такие как
рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, ультрафио-
летовая фотоэлектронная спектроскопия или
инверсная фо-
тоэмиссионная спектроскопия, детектируют и усредняют дан-
ные, исходящие с относительно большой площади размерами
от нескольких микрон до нескольких миллиметров в попе-
речнике. СТМ, наоборот, может получать спектры с площа-
дей, сравнимых по размерам с отдельными атомами.
Электронная структура атома зависит от его сорта, а
также от его местного
химического окружения (сколько во-
круг него атомов, какого они типа и как симметрично распре-
делены). Исследование зависимости сигнала СТМ от местной
электронной структуры поверхности известно как сканирую-
щая туннельная спектроскопия.
СТС охватывает ряд методов: получение “топографиче-
ских” (в режиме постоянного тока) изображений с использо-
ванием различных рабочих напряжений и сравнение их
; по-
лучение “токовых изображений” (в режиме постоянной высо-
ты) при различных зазорах; варьирование рабочего напряже-
ния при позиционировании острия над интересующим эле-
ментом топографии с одновременной регистрацией тока тун-
нелирования.
В последнем случае получают вольт-амперные характе-
ристики электронной структуры в данной точке. Можно на-
строить СТМ для снятия вольт-
амперных кривых в каждой
точке сканирования, создавая, таким образом, трехмерную
карту электронной структуры. Используя синхронизирован-
ный усилитель, можно непосредственно получать кривые за-
висимостей dI/dU (проводимость) или dI/dz (рабочая функция
– изменение тока при изменении зазора) от напряжения U.
Всё это методы зондирования местной электронной структуры
поверхности с применением СТМ.

Страницы