Дислокационные механизмы разрушения двойникующихся материалов. Федоров В.А - 195 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

(
)
()
∑
==τ−
+
ε
λ
+
+
∑
−ε
λ
+
+
−
+
−
=
≠=
n
j
ji
i
n
ijj
ji
ji
jii
ji
ni
xx
x
b
xxb
xx
xxx
xx
A
1
22
2
,1
2
2
22
22
....,,3,2,0
2
121
(14.16)
Из (14.16) следует, что наличие электрического заряда эквивалентно появлению y дислокации вин-
товой компоненты с вектором Бюргерса
Gbb
s
επλ= /4
2
. Силы упругого и электрического взаимодействия
дислокаций, принадлежащих разным скоплениям, не являются пропорциональными (см. второй член в
квадратных скобках и выражение под знаком второй суммы). Поэтому простые соображения, использо-
вавшие ранее при рассмотрении одиночного скопления, неприемлемы для анализа схемы пересекаю-
щихся скоплений. Ниже приводятся результаты точного решения задачи, полученного численным ме-
тодом.
В табл. (14.1) приведены значения координат дислокаций скопления (в микронах) в кристаллах
NaCl для τ = 10
7
дин/см
2
и λ = 0 (часть 1) и
λ
= 5 10
–3
ед. CGSE/см (часть 2).
Видно, что наличие заряда на дислокациях заметно изменяет их равновесные положения. Величины
координат возрастают, но линейность, характерная для одиночного скопления, не сохраняется. Наи-
большее относительное смещение имеют дислокации, расположенные ближе к вершине скопления. По-
скольку именно
d
определяет напряжение зарождения трещины, аналогичная зависимость от плотно-
сти заряда будет иметь место для критических напряжений
∗
τ . Причем, как для d, так и для
∗
τ зависи-
мость от λ будет сильнее проявлятся ля скоплений с большим числом дислокаций n.
14.1. Положения дислокаций в скоплении x
i
⋅10
4
, см
0,00
0,594
3,007
7,841
15,546
26,536
41,276
60,425
85,222
118,812
0,011
0,851
3,632
8,915
17,138
28,718
44,138
64,118
90,066
125,840
0,049
1,162
4,326
10,070
18,823
31,006
47,126
67,972
95,164
133,535
0,122
1,530
5,092
11,309
20,604
33,403
50,243
71,997
100,544
142,131
0,234
1,959
5,932
12,633
22,481
35,912
53,495
76,204
106,244
152,075
0,390
2,451
6,848
14,045
24,458
38,535
56,887
80,607
112,311
164,529
0,000
1,049
4,723
11,523
21,809
35,935
54,349
77,771
107,632
147,632
0,027
1,462
5,629
12,986
23,886
38,652
57,879
82,244
115,426
155,958
0,105
1,952
6,623
14,547
26,072
41,569
61,551
86,901
119,513
165,062
0,242
2,521
7,708
16,209
28,368
44,571
63,370
91,754
125,926
175,218
0,442
3,171
8,886
17,973
30,775
47,698
69,342
96,817
132,709
186,950
0,710
3,904
10,157
19,838
33,297
50,957
73,437
102,103
139,919
201,621
Значения критических напряжений зарождения трещины приведены на рис. 14.4 для
λ
в диапазоне
(0…5)·10
–3
ед. CGSE/см и n = 50.
В схеме пересекающихся скоплений эффект влияния заряда дислокаций выражен сильнее чем в случае
одиночного заторможенного скопления.

Страницы