Дислокационные механизмы разрушения двойникующихся материалов. Федоров В.А - 196 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Y
X
ττ
/
*
kk
Рис. 14.4. Зависимость напряжений зарождения трещин в ортогональном
скоплении от линейной плотности электрического заряда дислокаций:
1 – NaCl; 2 – LiF
Перейдем к определению критических
∗
d . Энергия образования парного перегиба на дислокации,
ближайшей к дислокации-стопору, может быть представлена в виде
,
1
TWWW
−
∆
+
=
где −
1
W энергия образования двойникового перегиба на одиночной дислокации, −∆W изменение энер-
гии взаимодействия краевого сегмента перегиба с дислокациями скоплений, −
T
работа внешнего на-
пряжения по перемещению краевого сегмента перегиба.
Сохраняя обозначения предыдущего раздела, для
1
W имеем
() ()
[
()
]
}
()
,,
2
ln
1
2
ln1
2/1
22
2
1
alS
Sab
al
a
lSSla
Sl
l
lkDbW
+=
+
+
+−
ν−+
+−−
+
+=
(14.18)
где
()
.12/ ν−π= GD
Выражение для W∆ может быть получено из общих соотношений для удельной энергии взаимодей-
ствия прямолинейных дислокаций [129]:
[]
[][]
,)()(
ln)()(ln
2
))((
21
2
21
21
2,1
RtbRtb
R
D
R
R
tbtbD
R
RtbtbG
l
W
aa
××
××
−
−−=
(14.19)
где
1
b и
2
b – векторы Бюргерса дислокаций 1 и 2; t – единичный вектор дислокационной линии; R –
расстояние между дислокациями; R
а
величина, обеспечивающая безразмерность аргумента
логарифмической функции,
−
l длина дислокации.
В нашем случае (см. рис. 14.5) 0)()(
21
== tbtb . Для дислокации с номерами i и j , принадлежащих
одному скоплению,
;)()(
2
21
btbtb =××
,0)()(
21
=×=× RtbRtb
так, что
.ln
2
,
a
ijji
R
xx
Db
l
W
−
−= (14.20)
X
Y
1
2

Страницы