Дислокационные механизмы разрушения двойникующихся материалов. Федоров В.А - 198 стр.

UptoLike

ции, поэтому возможность вскрытии трещины при слиянии двух дислокаций для данного диапазона уг-
лов требует дополнительного обоснования. Отметим, что величина в
d
не зависит от числа n дислока-
ций в скоплениях и уменьшается примерно в двое при изменении угла θ от 60° до 180°.
Значения критических напряжений τ при этом меняются гораздо сильнее и зависят от n. Для расче-
та величин τ воспользуемся тем обстоятельством, что при неизменном значении угла зависимость d от
n хорошо аппроксимируются функцией
,/
α
τβ= nD
b
d
где
α
и β числовые коэффициенты, их величины приведены на рис. 14.6.
Тогда условие термоактивированного зарождения трещин в вершине пересекающихся скоплений
можно записать в следующем виде [314]
./
kk
dDbn β>τ
α
Оценки показывают, что геометрический фактор очень сильно влияет на критические напряжения n
и τ. Так для одинакового числа дислокаций в скоплениях критические напряжения при θ = 90° и
θ = 180° будут отличаться более чем на два порядка (~9 10
7
дин/см
2
и
2 10
10
дин/см
2
соответственно для n = 50).
Влияние электрического заряда дислокаций на условия зарождения трещин в вершине пересекаю-
щихся скоплений иллюстрирует данные рис. 14.7.
Результаты были получены при следующих значениях упругих и электрических констант: G = 2
10
11
дин/см, b = 3 10
–8
см, ε = 7. В заряженных скоплениях зарождения трещин будет затруднено. Эф-
фект упрочнения по порядку величины сравним с влиянием геометрического эффекта. Эффект упроч-
нения по порядку величины сравним с влиянием геометрического фактора.
db
/
,,
α
β
d
Рис. 14.6. Зависимость критического расстояния между головными
дислокациями и значений коэффициентов α и β от угла θ
db
/, ,
α
β
Рис. 14.7. Влияние электрического заряда на условия слияния головных дислокаций:
1, 3, 5, – θ = π/2; 2, 4, 6θ = 2π/3
14.3. СООТНОШЕНИЕ МЕХАНИЧЕСКОЙ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ
ПРОЧНОСТЕЙ КРИСТАЛЛОВ
1
2
3
4
5
6