Дислокационные механизмы разрушения двойникующихся материалов. Федоров В.А - 71 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

4.4. Координаты
п
j
x
′
(мкм) пирамидальных дислокаций
0,00 0,49 1,52 3,02 4,96 7,33
10,11 13,31
16,91 20,91 25,31 30,11 35,31 40,42
46,95 53,42
60,34 67,73 75,62 84,05 93,06 102,70
113,05 124,22
136,33 149,58 180,33 200,23 224,84
Видно, что длина скопления пирамидальных дислокаций превышает длину скопления базисных
дислокаций. Это сохраняется для всех рассмотренных значений n и τ
б
= τ
п
.
Расстояние d между первой и второй дислокациями в скопле-
нии пирамидальных дислокаций меньше, чем в скоплении базисных
d
п
< d
б
при n = 10 – 55, и наоборот, d
п
> d
б
при n = 56 – 100 (рис.
4.15). Данное соотношение между значениями d
п
и d
б
не зависит от
величины внешних напряжений.
Координаты последующих j-тых дислокаций в скоплениях в за-
висимости от n соотносятся следующим образом
бп
jj
xx >
′
− при
n > 55. Для n < 55 в головной части скоплений имеется небольшая
область, в которой выполняется обратное соотношение
бп
jj
xx <
′
.
Число дислокаций, удовлетворяющих последнему неравенству,
уменьшается от 4 при n = 10 до 1 при n = 55.
Для определения критических напряжений зарождения микро-
трещины τ
кр
рассмотрим зависимости d
п
(τ
п
) и d
б
(τ
б
) (рис. 4.16).
Примем, что слияние дислокаций, как и в одиночном скоплении,
происходит с учетом термических флуктуаций при d
кр
= 5b [176]. В
цинке величина 5b составит 13,3 10
–7
мм для базисной и 28,14 10
–7
мм для пирамидальной плоскостей
(на рис. 4.16 сплошные горизонтальные линии 4 и 5).
Критические напряжения определяли для различных n отдельно для базисного и пирамидального скоп-
лений. В обоих случаях они имели гиперболическую зависимость от числа дислокаций в скоплениях (рис.
4.17). Тогда условия термофлуктуационного зарождения микротрещин, учитывающие анизотропию кри-
сталла и неодинаковость скольжения по плоскостям базиса и пирамиды, могут быть записаны для всех
ГПУ металлов в виде
44
б
кр44
п
кр
, cncn β>τα>τ ,
где α – коэффициент, зависящий от n; β – постоянный коэффициент.
В частности, для цинка α = 7 10
–4
n+0,113, β = 0,316.
d
2
4
5
Рис. 4.16. Зависимости d(τ) для различного числа дислокаций в скоплениях:
d
2
n
Рис. 4.15. Зависимость d от n
в скоплениях:
1 – базисных дислокаций;
2 – пирамидальных дислокаций. τ = 0,1 ГПа
1
2
1
2
3
4
5

Страницы