Физико-химические основы электронно-вычислительных средств. Филатов Б.Г - 22 стр.

UptoLike

22
Построение математической модели процесса
термовакуумного напыления резистивных пленок
Экспериментальная часть. В результате проведения первой части
работы имеем три доминирующих фактора (q
x
, q
y
, q
z
), влияющих на со-
противление резистивной пленки. Для проведения ПФЭ для трех доми-
нирующих факторов (q
x
, q
y
, q
z
) производится последовательно четы-
рехкратная реализация факторов (табл. 2.4).
Таблица 2.4
ремоН
амижер
(i)
q
x
q
y
q
z
q
хыв ji
/мО,
(яицазилаеР j)
12 3 4
11+1+1+
21–1+1+
31+1–1+
41–1–1+
51+1+1
61–1+1
71+1–1
81–1–1
выхi
q
2
i
S
выхi
q
Рис. 2.1
q
1
q
2
q
3
q
4
q
5
q
6
q
i
q
вых