Физико-химические основы электронно-вычислительных средств. Филатов Б.Г - 21 стр.

UptoLike

21
"пуск" и далее как в предыдущем пункте. Подобным образом реализу-
ется вся серия опытов отсеивающего эксперимента.
Расчетно-графическая часть. По результатам выполненной пер-
вой экспериментальной части работы (табл. 2.3) строятся диаграммы
рассеивания значений удельного сопротивления по каждому фактору
q
1
, q
2
, q
3
, q
4
, q
5
, q
6
. По оси абсцисс на равном расстоянии друг от
друга располагаются режимные факторы, по оси ординат – значения
удельного сопротивления резистивной пленки (рис. 2.1). Из точек на
оси абсцисс соответствующих факторов восстанавливаем вертикаль-
ные линии. Справа от вертикальных линий откладываем значения удель-
ного сопротивления пленки для тех режимов, когда данный фактор на-
ходится на верхнем уровне, т. е. когда принимает нормированное
значение, равное "+1"; слева – когда данный фактор находится на ниж-
нем уровне, т. е. когда принимает нормированное значение, равное
"–1". Таким образом, имеем два ряда значений для каждого из ше-
сти факторов: четыре отрицательных – первый ряд (q
i
) и четыре
положительных – второй ряд (q
i+–
). Затем для каждого ряда вычис-
ляем среднее значение. Из полученных точек каждого ряда строим
медианы. Разность между медианами положительных и отрицатель-
ных рядов каждого фактора определяет его роль в процессе, т. е. его
значимость. Анализируя построенную диаграмму рассеивания, визу-
ально определяем три фактора, для которых разность медиан имеет
наибольшее значение. Далее для этих трех факторов проводится ПФЭ
с целью построения математической модели данного процесса.
ремоН
амижер
q
1
q
2
q
3
q
4
q
5
q
6
q
iхыв
/мО,
11+1+1+1+1+1+
21–1+1+1–1+1
31+1–1+1–1–1+
41–1–1+1+1–1
51+1+1–1+1–1
61–1+1–1–1–1+
71+1–1–1–1+1
81–1–1–1+1+1+
Таблица 2.3