Составители:
25
стить " Start2". В открывшемся окне ввести полученные ранее значения
q
вых
в матрицу планирования (рис. 2.3) и нажать кнопку "Расчет". Про-
грамма автоматически построит диаграмму рассеивания исследуемых
факторов (рис. 2.4).
Построение математической модели процесса
термовакуумного напыления резистивных пленок
Экспериментальная часть. В результате проведения первой час-
ти работы имеем три доминирующих фактора (q
x
, q
y
, q
z
), влияющих на
сопротивление резистивной пленки. В соответствии с матрицей ПФЭ
для трех факторов (q
x
, q
y
, q
z
) для повышения точности эксперимента
последовательно производится четырехкратная реализация для доми-
нирующих факторов (табл. 2.4). Для этого открыть файл "ЛР2", выб-
рать в папке "Напыление" файл "start.exe" или "start3.exe" и в появив-
шемся окне, последовательно устанавливая режимы напыления,
соответствующие матрице планирования, занесите в табл. 2.4 показа-
ния q
выхi
. Повторите эксперимент четыре раза. При этом ручки регу-
лировки факторов, исключенных из pacсмотрения по результатам отсеи-
вающего эксперимента, устанавливаются в положение, соответствующее
их номинальным значениям.
Произвести расчет средних значений и построчных дисперсий удель-
ного сопротивления резистивной пленки. Для этого открыть файл "ЛР2"
и в папке "Расчет" запустить " Start2". В открывшемся окне ввести по-
лученные ранее значения q
вых
в окно "Последовательная четырехкрат-
ная реализация исследуемых факторов" и нажать кнопку "Расчет". Про-
грамма автоматически произведет расчет
выхi
q
и
2
i
S
.
Рис. 2.4
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- …
- следующая ›
- последняя »
