Составители:
27
13. Из каких соображений выбирается температура подложки?
14. Какие типы испарителей применяются при напылении резистив-
ных пленок?
15. На основании каких данных выбирается температура испари-
теля?
16. В чем состоит суть процесса стабилизации резистивных пленок?
Лабораторная работа № 3
ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ДИФФУЗИИ
ПРИМЕСИ В ПОЛУПРОВОДНИК
Цель работы: изучение моделей процесса диффузии примесей в
полупроводник для различных технологических условий.
1. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ПОДГОТОВКЕ
К РАБОТЕ
Содержание работы: уяснить поставленную задачу, ознакомиться
с законами диффузии – уравнениями Фика и решениями уравнения
диффузии для различных частных случаев, которые широко исполь-
зуются при проведении процессов диффузии на практике. Ознакомить-
ся с методикой работы с программой на ЭВМ, выполняющей расчет
параметров процесса диффузии и графическое построение профиля
диффузианта.
Основные теоретические сведения
Диффузия представляет собой обусловленное тепловым движени-
ем перемещение атомов вещества в направлении убывания их концен-
трации.
Основой математического описания процессов диффузии являются
два дифференциальных уравнения Фика. Первое уравнение (первый за-
кон Фика) записывается следующим образом:
J = –DgradN, (3.1)
где J – плотность потока диффундирующего вещества, т. е. количество
вещества, проходящего за единицу времени через единичную площадь
поверхности, перпендикулярной направлению переноса вещества; N – кон-
центрация атомов примеси; D – коэффициент диффузии.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- …
- следующая ›
- последняя »
