Рубрика:
9
Рис. 10. Вольтамперная характеристика фотосопротивления.
Важной характеристикой фотосопротивления является удельная
чувствительность, то есть отношение фототока I
ф
к световому потоку Ф и к
величине приложенного напряжения U:
γ
уд
= I
ф
/ (ФU) (12)
Из фотометрии известно, что
Ф = ES, (13)
где E - освещенность поверхности; S -площадь светочувствительного слоя
фотосопротивления.
Если источник света точечный и лучи падают перпендикулярно
поверхности, то освещенность будет связана с силой света I и расстоянием r до
источника следующей зависимостью:
E = I / r
2
(14)
Из формул (12-14) получаем следующее выражение для чувствительности:
γ
уд
= I
ф
(r
2
) / ( I S U ) (15)
Литература
1. Савельев И. В. Курс общей физики, T.5.-М.: Физматлит, 1998.
2. Киреев П.С. Физика полупроводников. –М.: Высшая школа, 1975.
Лабораторная работа № 322
Исследование зависимости сопротивления примесного
полупроводника от температуры и определение энергии
активации электронов.
Цель и содержание работы
Целью работы является изучение зависимости сопротивления
примесного полупроводника от температуры.
Содержание работы состоит в определении энергии активации
электронов и температурного коэффициента сопротивления для термисторов
типа ММТ-1 и КМТ-4.
В работе исследуются термисторы - нелинейные полупроводниковые
сопротивления с электронной проводимостью. Сопротивление термистора R
сильно зависит от температуры. Наибольшее распространение имеют
термисторы с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления α,
который показывает относительное изменение сопротивления при изменении
температуры на 1 градус:
α = (1/R)(dR/dT) (16)
Сопротивление термистора в области рабочих температур может быть
представлено в виде
R =С e
ΔW / kT
,
(17)
где С - величина, постоянная в рабочем интервале температур.
Прологарифмировав выражение (17), получим
lnR = lnc + ΔW/kt (18)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »
