Физика полупроводников. Методические указания - 11 стр.

UptoLike

10
Построив график зависимости lnR = f (1/T), можно по тангенсу угла
наклона прямой определить энергию активации электронов:
tgβ = ΔlnR / Δ(1/T) = ΔW/k (19)
Подставив в выражение (23) значение постоянной Больцмана
к= 0,86 10
-4
эВ/град, найдем энергию активации:
ΔW = (ΔlnR / Δ(1/T))*k (20)
Продифференцировав выражение (17) и, использовав определение
температурного коэффициента α (20), получим:
α = - ΔW / kT
2
(21)
Термисторы изготавливаются из твердых полукристаллических
полупроводниковых материалов: смесей двуокиси титана с окисью магния,
окислов марганца, меди, кобальта и никеля и т.д.
Основными параметрами термисторов являются:
1) сопротивление образца при Т = 20°С;
2) величина температурного коэффициента сопротивления α,
3) энергия активации электронов ΔW, определяющая его температурную
чувствительность;
4) максимально допустимая температура, выше которой характеристики
термисторов становятся нестабильными.
Термисторы широко применяются для измерения температуры, а также
для компенсации температурных изменений параметров электрических цепей.
Приборы и принадлежности, необходимые для выполнения работы.
1. Исследуемый термистор типа ММТ-1 или КМТ-4 (R на рис.13),
помещенный в нагреватель.
2. Нагреватель I на рис.13, служащий для изменения температуры от 20
до 100°С.
3. Измеритель сопротивления 2 с цифровой индикацией.
4. Измеритель температуры 3 - цифровой прибор с датчиком,
помещенным внутри нагревателя.
Порядок выполнения работы.
1. Включить в сеть приборы для измерения сопротивления и
температуры, а также нагреватель.
2. При достижении температуры 65°С выключить нагреватель.
3. При остывании термистора произвести не менее 30 измерений
значений температуры и, соответственно, сопротивления термистора через
каждый градус изменения температуры. Полученные данные занести в таблицу.
4. По окончании измерений отключить приборы и нагреватель от сети.