Рубрика:
8
Внутренний фотоэффект заключается в том, что под действием света
происходит перераспределение электронов по энергетическим уровням.
Если энергия кванта hν превышает ширину запрещенной зоны ΔЕ, поглотивший
квант электрон переходит из валентной зоны в зону проводимости. В результате
появляется дополнительная пара носителей зарядов - электрон и дырка, что
приводит к увеличению электропроводности вещества.
Если в веществе есть примеси, то под действием света с энергией кванта
hν ≥ ΔЕ, где ΔЕ - энергия активации примеси, электроны могут переходить из
валентной зоны на уровни примеси или с примесных уровней в зоны
проводимости. В первом случае возникает дырочная проводимость, во втором -
электронная.
Носители тока, возникшие в результате освещения, называются
неравновесными, или избыточными. Фототоком I
ф
фотосопротивления при
данном напряжении называется разность тока при освещении полупроводника
I
св
и темнового тока I
т
:
I
ф
= I
св
- I
т
(11)
На внутреннем фотоэффекте основана работа фотосопротивлений,
непосредственно преобразующих световую энергию в энергию электрическую.
В случае малых световых потоков Ф, когда кванты света идут на
образование избыточных носителей, количество образующихся носителей, а,
следовательно, и величина фототока пропорциональны падающему световому
потоку (I
ф
∼ Ф). При больших световых потоках наступает насыщение и
линейная зависимость фототока от светового потока нарушается (I
ф
∼ Ф
1/2
).
Световой характеристикой фотосопротивления называется зависимость
фототока от светового потока при данном напряжении. Эта зависимость,
показана на рис.9.
Рис. 9. Световые характеристики фотосопротивления
Вольтамперная характеристика фотосопротивления имеет линейный
характер (рис. 10) и выражает зависимость фототока от приложенного
напряжения.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »
