ВУЗ:
Рубрика:
РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ
«ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ»
Томск – 2005
I. Oрганизационно-методический раздел
1. Цель курса
Цель курса - дать достаточно полное представление о физических основах (принципах)
работы современных полупроводниковых приборов, действие которых основано на
свойствах контакта металл-полупроводник, p-n перехода, гетероперехода, структуры металл-
диэлектрик полупроводник, более сложных (транзисторных) структур, включающих
названные, однородных структур с междолинным переносом и некоторых других.
2. Задачи
учебного курса
Наиболее важные задачи учебного курса:
- показать связь основных, выполняемых полупроводниковыми приборами функций
(преобразование, перестройка, усиление, переключение, генерация сигналов и др.) с фунда-
ментальными (вольт-амперной, вольт-фарадной и др.) физическими характеристиками полу-
проводниковых структур;
- показать фундаментальную роль энергетического спектра полупроводниковой структу-
ры в реалиации её приборных характеристик
;
- особое внимание уделить связи параметров конкретных приборов (детекторных,
параметрических, настроечных, туннельных, лавинно-пролётных и др. диодов, биполярных,
гетеробиполярных и полевых транзисторов) со свойствами материала, конструкцией и
технологией прибора;
- показать пути улучшения параметров (особенно повышения рабочих частот, эффектив-
ности приборов, уровня выходной мощности, диапазона рабочих температур и т.д.) на
основе использования новых материалов и новых технологий.
3. Требования к уровню освоения курса
Освоение курса физики полупроводниковых приборов предполагает формирование у
студентов:
- чёткого представления о принципах действия важнейших полупроводниковых приборов
(прежде всего диодов и транзисторов) и их параметрах; о связи параметров приборов со
свойствами материала, физическими процессами в полупроводниковых структурах
, их кон-
струкцией и технологией изготовления; о путях улучшения параметров за счёт использова-
ния новых материалов (новых соединений, твёрдых растворов, гетерострур и сверхрешёток
на их основе);
- навыков измерения и анализа наиболее важных харакеристик диодов и транзисторов, (с
учётом практики лабораторных работ по курсу), простейших расчётов параметров приборов,
подбора материала и
конструкции для достижения необходимых параметров.
II. Содержание курса
Развитие полупроводниковой электроники (историческая справка). Современная
полупроводниковая электроника, ее роль в научно-техническом прогрессе. Представление о
классификации приборов и предмете курса.
№ Тема Содержание
1. Контакт металл-полу- Энергетическая диаграмма КМП. Термоэлектронная эмиссия
