ВУЗ:
Рубрика:
ры действия БТ. Токи в тран-зисторе. Коэффициент усиления
тока БТ, реальные факторы, влияющие на коэффициент
усиления. БТ с эмиттерным гетеропереходом. Статические
(входные и выходные) характеристики БТ в схемах с общей
базой и общим эмитте-ром. Системы параметров транзистора
(y-z-h - системы). БТ на переменном сигнале. Эквивалентная
схема транзистора. Частотные свойства БТ
, способы (пути)
повышения предельной частоты БТ; дрейфовый транзистор.
Конструктивные пути создания СВЧ БТ и мощных БТ. (12 ч)
6. Полевые транзисторы с
p-n переходом и бар.
Шоттки в качестве за-
твора
Принцип действия и конструкция ПТ. Основные особенности
и достоинства. в сравнении с БТ. Статические характеристики
ПТ. Основные характеристики и параметры ПТ в усилитель-
ном режиме. Пути повышения крутизны ПТ. Работа ПТ в ре-
жиме ключа. Частотные свойства ПТ (
эквивалентная схема).
Пути повышения предельной частоты и мощности ПТ и
уменьшения паразитной обратной связи. Особенности харак-
теристик БТ с коротким каналом: эффект насыщения в ПТ с
затвором Шоттки, эффект баллистического переноса электро-
нов. ПТ с высокой подвижностью электронов (HEMT). (8 ч.)
7. Полевые транзисторы с
изолированным затво-
ром (МДП-ПТ)
Свойства структуры металл-диэлектрик-полупроводник: ре-
жимы аккумуляции, истощения и инверсии; эффект поля.
Энергетическая диаграмма и вольт-фарадная характкристика
МДП-структуры. Пороговое напряжение и потенциал инвер-
сии. Подвижный заряд в инверсионном слое. Конструкция и
принцип работы МДП-ПТ. Статические характеристики
МДП-ПТ
. Работа ПТ в режиме ключа и усилительном режи-
ме. Параметры усилительного режима: крутизна, выходная
проводимость, пороговое напряжение. Частотные свойства
МДП-ПТ, эквивалентная схема, факторы, определяющие пре-
дельную частоту МДП-ПТ. Короткоканальные эффекты в
МДП-ПТ, принцип "масштабирования" при конструировании
МДП-ПТ. Типы МДП-ПТ. (10 ч.).
III. Распределение часов курса по темам и видам работ
Аудиторные занятия (час)
в том числе
№
пп
Наименование
темы
Всего
часов
лекции семинары
лаборатор.
занятия
Самостоя-
тельная
работа
1 Контакт металл-полу-
проводник (КМП) и
приборы на его осно-
ве
24 16 2 6
2 Электронно-
дырочные перехо-ды
(р-п переходы)
20 12 2 6
3 Приборы с неустой-
чивостью на пере-
менном сигнале (ге-
нераторные диоды)
6 6
