ВУЗ:
Рубрика:
проводник (КМП) и
приборы на его основе
с поверхности полупроводника (П) и металла (М).
Контактная разность потенциалов. Контакты М с
полупроводниками п- и р-типа. Свойства обедненного слоя в
КМП. Прохождение тока через КМП: эффект Шоттки,
диодная и диффузионная теории выпрямления,
туннелирование в КМП с барьером Шоттки (БШ).
Особенности реальных КМП
с БШ. Модель Бардина:
промежуточный слой и поверхностные электронные
состояния. Высота барьера в реальных КМП. Вольт-амперная
характеристика реальных КМП. Омические
(невыпрямлянщие) КМП; теоретические и реальные
зависимости сопротивления контакта от параметров П.
Принципы создания реальных омических контактов.
КМП с БШ на малом переменном сигнале. Эквивалентная
схема КМП с БШ. Общие
требования к материалу и
конструкции полупроводниковых приборов (ПП) на основе
КМП. Паразитные параметры ПП. Диоды с барьером Мотта.
Полупроводниковые сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды на
основе КМП с БШ. Детекторные и варакторные (настроечные,
параметрические) диоды. (16 ч.)
2. Электронно-дырочные
переходы (р-п пере-
ходы)
Характеристики потенциального барьера. Вольт-амперные
характеристики идеального p-n перехода. Особенности реаль-
ных p-n переходов. Пробой в p-n переходе. P-n переход на ма-
лом переменном сигнале. Переходные процессы в p-n перехо-
де. Туннельный диод (принцип действия, вольт-амперная ха-
рактеристика, анализ эквивалентной схемы.) Обращённый
диод.
P-i-n-структуры: ВАХ, эквивалентная
схема. Переключа-
тельные и ограничительные диоды на основе p-i-n-структур.
(12 ч.)
3. Приборы с неустойчи-
востью на переменном
сигнале (генераторные
диоды)
Лавинно-пролётные диоды (ЛПД). Принцип действия ЛПД.
Особенности характеристик ЛПД в условиях ограничения ра-
боты максимально допустимым разогревом и максимально
допустимым полем. Влияние материала (GaAs, Si) и конст-
рукции прибора на работу ЛПД. Различные типы ЛПД.
Диоды Ганна (приборы на эффекте междолинного переноса
).
Отрицательная дифферен-циальная подвижность (ОДП).
Неустойчивость тока в структурах с ОДП. Режим обогащен-
ного слоя; режим пролета домена. Основные характеристики
ДГ: рабочая частота, генерируемая мощность, КПД; реальные
и фундаментальные ограничения. (6 ч.)
4. Гетеропереходы
Развитие представлений о гетеропереходах. Анизотипные и
изотипные гетеропереходы: энергетические диаграммы и ме-
ханизмы токопохождения. Инжекционные свойства анизо-
типных гетеропереходов. Гетероструктурные системы на ос-
нове полупроводников А3В5: принципы подбора практиче-
ских гетероструктурных систем, гетероструктуры на основе
тройных и четверных твёрдых растворов. Двумерный элек-
тронный газ в гетеропереходах и
возможные приложения.
Сверхрешётки, резонансное туннелирование в сверхрешётках,
резонансно-туннельные диоды. (4 ч.)
5. Биполярные транзисто- Структура (геометрия) БТ. Планарный транзистор. Принцип
