Физика полупроводниковых приборов. - 4 стр.

UptoLike

Рубрика:

4 Гетеропереходы 4 4

5 Биполярные транзи-

сторы

20 12 2 6

6 Полевые транзисторы

с p-n переходом и

барьером Шоттки в

качестве затвора

7 Полевые транзисторы

с изолированным за-

твором (МДП-ПТ)

18 10 2 6

ИТОГО 106 68 10 28

IV. Форма итогового контроля:

1 семестр – экзамен

2 семестр - зачёт

V. Учебно-методическое обеспечение курса

1. Рекомендуемая литература (основная):

1. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. В 2-x книгах. Перев. с англ. 2-ое перераб.

и доп. издание.- М: Мир, 1984.

2. 2. В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов. 2-ое перераб. и доп. издание.

Томск, 2000 - 425 с

3. З. И. М. Викулин, В.И. Стафеев. Физика полупроводниковых приборов. - М.: "Сов.

Радио", 1980 - 289 с.

2. Рекомендуемая литература (дополнительная)

1. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия. Изд-во Мир, М., 1991.

2. Э.X. Родерик. Контакты металл-полупроводник.- М.: Радио и связь, 1982.

3. Б.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. Полупроводниковые

приборы.- М.: Высшая школа, 1987 -

459 с.

Автор

Божков Владимир Григорьевич, д.т.н., профессор