19
где е - заряд электрона, n и p - концентрация носителей заряда
(подвижных электронов и дырок), b
n
и b
p
- подвижности электронов и
дырок.
В случае проводимости одного типа одним из слагаемых в выражении
(*) можно пренебречь. Для собственного полупроводника следует
положить n = p.
Зависимость удельной электропроводности собственного
полупроводника от температуры
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
∆−
=
Тk
E
o
2
exp
γγ
,
где
Е - ширина запрещенной зоны полупроводника, ∆
O
γ
- константа,
почти не зависящая от температуры, к - постоянная Больцмана.
При незначительном изменении удельного сопротивления вблизи
комнатной температуры
ρ = 1/γ = ρ
0
(1 + βt ),
где ρ
0
- удельное сопротивление при 0
0
С, β - температурный
коэффициент, t – температура в
0
С.
Холловская разность потенциалов равна
U
н
= R
н
a
B
I ,
где В - индукция магнитного поля, а - толщина образца, I - сила тока в
образце, R
H
- постоянная Холла. Для полупроводника с кристаллической
решеткой типа алмаза (Ge, Si) постоянная Холла равна
2
)(
22
8
3
p
bp
n
bn
p
bp
n
bn
e
H
R
+
−
=
π
Постоянную Холла для собственного полупроводника можно
получить из этого выражения, считая n = p; для электронного – n >> p,
для дырочного - p >> n.
Сила тока через p-n переход
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
−= 1
.
exp
Tk
eU
o
II
,
где I
o
- обратный ток насыщения, U - внешнее напряжение, приложенное к
p-n переходу.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- …
- следующая ›
- последняя »
