Составители:
47
пассивных радиационных систем охлаждения (РСО). PbS является соб-
ственным полупроводником, поэтому у него η ≈ 25 %.
По аналогичной схеме, с гораздо большими технологическими труд-
ностями может строиться и ТТФЭП на основе фотодиодных матриц.
Ïðèáîðû ñ ïåðåíîñîì çàðÿäà
Существует несколько наименований этих приборов:
– ППЗ – приборы с переносом заряда;
– ПЗС – приборы с зарядовой связью;
– ФППЗ – фотоприемные приборы с переносом заряда;
– ФПЗС – фотоприемные приборы с зарядовой связью.
Бурное развитие этой новой области микроэлектроники, начиная
с 1969–70 гг., было подготовлено как "идеологически", так и техно-
логически. К моменту открытия эффекта переноса заряда вдоль по-
верхности полупроводника уже было достигнуто глубокое понима-
ние физических явлений в структурах металл – диэлектрик – полу-
проводник, служащих основой ПЗС. Что же касается методов изго-
товления таких структур, то они уже были найдены в связи с успеш-
ными разработками БИС на основе полевых транзисторов с изоли-
рованным затвором.
Всего две недели потребова-
лось авторам для преодоления
пути от исходной идеи ПЗС до эк-
спериментального образца и еще
три–четыре года до появления в
продаже серийных образцов.
Здесь остановимся, в основ-
ном на способах построения ком-
плексированных фотоприемных
устройств (ФПУ), содержащих
ОС, охлаждаемое ФПУ в опти-
ческом криостате и систему ох-
лаждения, которые могут бази-
роваться на самолетах, ракетах
и КА.
ПЗС-матрицы имеют органи-
зацию, условно показанную на
рис. 6.2.
Секция
накопления
Секция
хранения
Выходной
регистр
Входная
диффизион-
ная область
Out
Рис. 6.2
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- …
- следующая ›
- последняя »
