Аэрокосмические фотоприемные устройства видимого и инфракрасного диапазонов. Формозов Б.Н. - 48 стр.

UptoLike

Составители: 

48
Металл
Окисел
Неосновные носители
Обедненный слой
Подложка из р-кремния
Область
стоп-
диффузии
а)
б)
Сигнальный заряд
Пустая яма
Поверхностный
потенциал
Рис. 6.3.
Основой многих приборов с переносом заряда является конденсатор
со структурой метал–окисел–полупроводник (МОП-конденсатор).
На рис. 63, а изображен МОП-конденсатор: металлический элект-
род, нанесенный на термически окисленную подложку из р-кремния.
Если в некоторый момент времени к металлическому электроду прило-
жить положительное напряжение относительно подложки, то основные
носители (дырки) в слое кремния, прилегающем к границе с окислом,
будут отталкиваться от электрода и покинут этот слой. При этом на
границе раздела окисел–кремний образуется потенциальная яма для но-
сителей противоположного типа (электронов), которая вначале будет
пуста, т. е. обеднена подвижными носителями. Распространение по-
тенциальной ямы вдоль поверхности кремния (т. е. границы раздела)