Аэрокосмические фотоприемные устройства видимого и инфракрасного диапазонов. Формозов Б.Н. - 49 стр.

UptoLike

Составители: 

49
ограничивается специальными областями полупроводника, которые
имеют тот же тип проводимости, что и подложка, но степень легирова-
ния здесь на несколько порядков величин выше (здесь р
+
-тип). Их при-
нято называть областями стоп-диффузии. Ограничение обеспечивается
тем, что в области стоп-диффузии поверхностный потенциал на грани-
це раздела окисел–кремний всегда близок к нулю. Электроны, которые
термически генерируются внутри или около потенциальной ямы, со-
Окисел
Энергия
электрона
Металл
Электростатический
потенциал
Расстояние
p-полупроводник
ϕ
s
V
G
а)
б)
p-полупроводник
Расстояние
Окисел
Энергия
электрона
Металл
ϕ
s
V
G
Накопленные
неосновные
носители
Рис. 6.4.
Q
s