Технология производства радиоэлектронной аппаратуры. Фролов С.В - 42 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

6. МАРКИРОВКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
6.1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ О МАРКИРОВКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ПРИБОРОВ
Маркировка полупроводниковых приборов включает в себя классификацию
полупроводниковых приборов по их исходному материалу изготовления,
назначению, физическим свойствам, основным параметрам и конструктивным
признакам.
Маркировка полупроводниковых приборов по ОСТ 1981 года состоит из
пяти элементов.
Первый элемент
– буква или цифра, указывающая полупроводниковый
материал, из которого изготовлен полупроводниковый прибор: Г или 1 − для
германия и его соединений; К или 2 – для кремния и его соединений; А или 3 – для
арсенида галлия.
Буквами (Г, К, А) маркируются полупроводниковые приборы, которые можно
применять только в бытовой и радиолюбительской аппаратуре, а цифрами (1, 2, 3) −
полупроводниковые приборы, предназначенные для использования в аппаратуре
специального (медицинского) назначения, которые также могут применяться в
любой бытовой и радиолюбительской аппаратуре.
Второй элемент
– буква, определяющая подкласс (или группу)
полупроводниковых приборов: Т – транзисторы (биполярные); П – полевые
транзисторы; Д − диоды выпрямительные, импульсные и универсальные; С –
стабилитроны; В – варикапы; И – туннельные диоды; А – СВЧ-диоды; Ц –
выпрямительные столбы и блоки; Н – динисторы (диодные тиристоры); У –
тринисторы (триодные тиристоры или просто тиристоры).
Третий элемент
– цифра, определяющая функциональное назначение
полупроводникового прибора. Наиболее важное значение третий элемент имеет для
подклассов: Т, П, С, Д, Н, У.
Транзисторы
(подклассы Т и П): 1 – транзистор малой мощности низкой
частоты (низкочастотный); 2 – транзистор малой мощности средней частоты
(среднечастотный); 3 − транзистор малой мощности ВЧ и СВЧ; 4 – транзистор
средней мощности низкой частоты; 5 − транзистор средней мощности средней
частоты; 6 − транзистор средней мощности ВЧ и СВЧ; 7 − транзистор большой
мощности низкой частоты; 8 − транзистор большой мощности средней частоты; 9 −
транзистор большой мощности ВЧ и СВЧ.
П р и м е ч а н и е. Транзистор малой мощности:
Р
< 0,3 Вт; средней
мощности: 0,3 <
Р
< 1,5 Вт; большой мощности:
Р
> 1,5 Вт. Транзистор низкой
частоты:
f
гр
< 3 МГц; средней частоты: 3 <
f
гр
< 30 МГц; высокой частоты (ВЧ): 30 <
f
гр
< 300 МГц; сверхвысокой частоты (СВЧ):
f
гр
> 300 МГц.
Выпрямительные диоды и тиристоры
(подклассы Д, Н, У): 1 – малой мощности
(максимальный прямой ток:
I
пр
≤ 0,3А); 2 – большой мощности (максимальный
прямой ток: 0,3 <
I
пр
≤ 10 А).
Стабилитроны
(подкласс С): 1 – стабилитрон малой мощности (с напряжением
U
стаб
< 10 В); 2 − стабилитрон малой мощности (10 <
U
стаб
< 100 В); 3 − стабилитрон
малой мощности (100 <
U
стаб
< 200 В); 4 − стабилитрон средней мощности (
U
стаб
< 10
В); 5 − стабилитрон средней мощности (10 <
U
стаб
< 100 В); 6 − стабилитрон средней

Страницы