Технология производства радиоэлектронной аппаратуры. Фролов С.В - 44 стр.

UptoLike

Первый элемент
буква, определяющая группу полупроводниковых приборов:
Ддиоды полупроводниковые; Пплоскостные транзисторы.
Второй элемент
число (от 1 до 999), определяющее исходный материал для
изготовления и функциональное назначение данного типа полупроводникового
прибора.
Диоды:
точечные германиевые 1 … 100
точечные кремниевые 101 … 200
плоскостные кремниевые 201 … 300
плоскостные германиевые 301 … 400
смесительные СВЧ-детекторы 401 … 500
умножительные 501 … 600
видеодетекторы 601 … 700
параметрические германиевые 701 … 750
параметрические кремниевые 751 … 800
стабилитроны 801 … 900
варикапы 901 … 950
туннельные 951 … 999
Транзисторы:
маломощные германиевые низкочастотные 1 … 100
маломощные кремниевые низкочастотные 101 … 200
мощные германиевые низкочастотные 201 … 300
мощные кремниевые низкочастотные 301 … 400
маломощные германиевые высокочастотные 401 … 500
маломощные кремниевые высокочастотные 501 … 600
мощные германиевые высокочастотные 601 … 700
мощные кремниевые высокочастотные 701 … 800
Третий элемент
буква, определяющая конкретные значения параметров
(группу по параметрам) данного полупроводникового прибора.
П р и м е ч а н и е. Буква М перед маркировкой транзистора или диода
обозначает, что он предназначен только для массового применения: для бытовой
или радиолюбительской аппаратуры. В радиоэлектронной аппаратуре специального
(медицинского) назначения данный транзистор использоваться не может, так как
его параметры и характеристики не отвечают жёстким требованиям и недостаточно
стабильны во времени и при температурном воздействии.
П р и м е р ы маркировки: Д9Е диод точечный германиевый, группа по
параметрам Е; П16А транзистор маломощный германиевый низкочастотный,
группа по параметрам А; П701В транзистор мощный кремниевый
высокочастотный, группа по параметрам В; МП13Б транзистор маломощный
германиевый низкочастотный, группа по параметрам Б (для массового
применения).