Технология производства радиоэлектронной аппаратуры. Фролов С.В - 49 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

5. Поменять концы соединительных проводов, измерить сопротивление
канала
R
ис
при подаче обратного напряжения на сток
и занести его в таблицу.
6. Сделать заключение о годности данного полевого транзистора к
эксплуатации: исправен, если
R
пр
≠ 0;
R
обр
≠ 0 и
R
си
≈
R
ис
= 50 … 3000 Ом; неисправен,
если
R
пр
=
R
обр
= 0 (т.е. пробой перехода З–И).
Записать это заключение (а если транзистор неисправен, то и вид
неисправности) в табл. 6.2.
7. Провести аналогичные измерения для второго полевого транзистора и
полученные результаты также занести в табл. 6.2.
Определение годности биполярных транзисторов
Биполярные транзисторы при определении их работоспособности можно
условно рассматривать как два встречновключённых
р
–
n
-перехода (рис. 6.5).
Поэтому биполярные транзисторы, в отличие от полупроводникового диода, могут
иметь не один вид неисправности, а целых три: пробой перехода Э–Б, пробой
перехода К–Б и пробой участка К–Э (рис. 6.5).
Порядок выполнения измерений
1. Определить структуру первого биполярного транзистора на измерительной
панели и продумать: какую полярность напряжения необходимо подать на Э и К
относительно Б, чтобы переходы Э–Б и К–Б были смещены в прямом направлении
(рис. 6.5).
2. Подсоединить сначала один из соединительных проводов измерительного
прибора к Б (рис. 6.5), а затем поочередно подключать
а
)
б
)
Рис. 6.5. Упрощённые модели БТ для различных структур:
а
– структура
n
–
р
–
n
; б – структура
р
–
n
–
р
второй провод к Э и К и измерять сопротивления прямосмещённых
переходов:
R
пр
перехода Э–Б и
R
пр
перехода К–Б. Измеренные значения
сопротивлений занести в соответствующие колонки табл. 6.3.
3. Поменять полярность напряжения на Б (для обеспечения обратного
смещения переходов Э–Б и К–Б) и измерить сопротивление обратносмещённых
переходов:
R
обр
перехода Э–Б и
R
обр
перехода К–Б. Результат измерений также
занести в соответствующие колонки табл. 6.3.

Страницы