Технология производства радиоэлектронной аппаратуры. Фролов С.В - 50 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

4. Для определения наличия или отсутствия пробоя участка К–Э необходимо
подключить измерительный прибор к гнездам К и Э таким образом, чтобы на
коллектор было подано требуемое напряжение (т.е. для
n
–
р
–
n
-структуры – плюс, а
для
р
–
n
–
р
-структуры – минус).
Измерить сопротивление участка К–Э (
R
КЭ
) и занести его в соответствующую
колонку табл. 6.3.
5. Поменять концы соединительных проводов, измерить сопротивление
участка Э–К (
R
ЭК
) и занести его также в таблицу.
6. Сделать заключение о годности данного биполярного транзистора к
дальнейшей эксплуатации: исправен, если
R
пр
= 10 … 500 Ом и
R
обр
> 100 кОм (для
переходов Э–Б и К–Б), а
R
КЭ
≈
R
ЭК
>> 0 (для участка К–Э); неисправен, если
R
пр
=
R
обр
= 0 (т.е. пробой переходов Э–Б или К–Б) или
R
КЭ
=
R
ЭК
= 0 (пробой участка К–
Э).
Записать это заключение (а если транзистор неисправен, то и вид
неисправности) в табл. 6.3.
7. Провести аналогичные измерения для других биполярных транзисторов,
расположенных на измерительной панели, и записать результаты этих измерений
также в табл. 6.3.
После проведения всех измерений следует проанализировать заполненные
табл. 6.1 – 6.3 и определить наиболее характерные неисправности
полупроводниковых приборов. Результаты анализа отразить в выводах по работе.
7. МАРКИРОВКА ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
7.1. МАРКИРОВКА ОТЕЧЕСТВЕННЫХ МИКРОСХЕМ
Действующая маркировка интегральных микросхем (ИМС) введена в 1973
году. Однако в настоящее время ещё достаточно часто можно встретить ИМС с
маркировкой до 1973 года.
Маркировка ИМС по ГОСТ–73 включает в себя четыре элемента.
Первый элемент
– цифра, определяющая конструктивно-технологическое
исполнение ИМС: 1, 5 – полупроводниковые ИМС; 2, 4, 6, 8 – гибридные ИМС; 3 –
ИМС на основе пленочной технологии; 7 – бескорпусные полупроводниковые
ИМС.
Второй элемент
– две или три цифры (от 00 до 999), обозначающие
порядковый номер разработки данной ИМС.
Три или четыре цифры первого и второго элементов образуют номер серии.
Серия интегральных микросхем – это совокупность типов ИМС, выполняющих
различные функции, имеющих единое конструктивно-технологическое исполнение
и предназначенных для совместного применения. Интегральные схемы одной серии
согласованы по напряжению питания, входным и выходным сопротивлениям,
уровням сигналов и условиям эксплуатации.
Третий элемент
– две буквы, определяющие функциональное назначение
ИМС. Первая буква соответствует подгруппе интегральных схем, а вторая буква –
виду интегральной схемы в данной подгруппе. Классификация интегральных схем
по функциональному признаку приведена в табл. 7.1.
Четвертый элемент
– цифра, обозначающая порядковый номер разработки
интегральной микросхемы в данной серии.

Страницы