ВУЗ:
Составители:
33
3.16. Определить магнитную индукцию ферромагнитного сердечника,
помещенного внутрь соленоида длиной l = 20 см с числом витков n = 800,
если по обмотке проходит ток 0,2 А, а эффективная магнитная проницае-
мость сердечника μ = 200.
Тема 4. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Цель занятия: закрепление физической сущности контактных, маг-
нитоэлектрических, термоэлектрических и фотоэлектрических явлений в
полупроводниковых материалах, приобретение практических навыков рас-
чета их параметров, определяющих применение в электронных средствах.
Удельная электрическая проводимость полупроводника
pn
epen μ+μ=
ρ
=σ
1
, См, (4.1)
где ρ – удельное электрическое сопротивление, Ом
·м; n, p – концентрация
электронов и дырок соответственно, м
-3
; μ
n
, μ
p
– подвижности электронов и
дырок, м
2
/(В·с).
В примесных полупроводниках n-типа (n >> p) и p-типа (p >> n)
удельные электропроводности соответственно равны
nn
en
μ
≅σ ,
pp
ep
μ
≅σ .
Концентрации носителей заряда в полупроводниках
Собственная концентрация носителей заряда (электронов и дырок)
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
−
==
kT
E
NNpn
g
vcii
2
exp
, м
-3
, (4.2)
где
Е
g
– ширина запрещенной зоны, Дж; k = 1,38·10
-23
Дж·К
-1
– постоянная
Больцмана;
T – абсолютная температура, К; N
c
– эффективная плотность
состояний в зоне проводимости, м
-3
; N
v
– эффективная плотность состоя-
ний в валентной зоне, м
-3
.
2
3
2
3
16
2
105,0
2
2 T
m
m
h
kTm
N
nn
c
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
⋅≈
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
π
=
, м
-3
; (4.3)
2
3
2
3
16
2
105,0
2
2 T
m
m
h
kTm
N
pp
v
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
⋅≈
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
π
=
, м
-3
; (4.4)
3.16. Определить магнитную индукцию ферромагнитного сердечника, помещенного внутрь соленоида длиной l = 20 см с числом витков n = 800, если по обмотке проходит ток 0,2 А, а эффективная магнитная проницае- мость сердечника μ = 200. Тема 4. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ Цель занятия: закрепление физической сущности контактных, маг- нитоэлектрических, термоэлектрических и фотоэлектрических явлений в полупроводниковых материалах, приобретение практических навыков рас- чета их параметров, определяющих применение в электронных средствах. Удельная электрическая проводимость полупроводника 1 σ = = enμ n + epμ p , См, (4.1) ρ где ρ – удельное электрическое сопротивление, Ом·м; n, p – концентрация электронов и дырок соответственно, м-3; μn, μp – подвижности электронов и дырок, м2/(В·с). В примесных полупроводниках n-типа (n >> p) и p-типа (p >> n) удельные электропроводности соответственно равны σ n ≅ enμ n , σ p ≅ epμ p . Концентрации носителей заряда в полупроводниках Собственная концентрация носителей заряда (электронов и дырок) ⎛ − E g ⎞ -3 ni = pi = N c N v exp⎜⎜ ⎟⎟ , м , (4.2) ⎝ 2 kT ⎠ где Еg – ширина запрещенной зоны, Дж; k = 1,38·10-23 Дж·К-1 – постоянная Больцмана; T – абсолютная температура, К; Nc – эффективная плотность состояний в зоне проводимости, м-3; Nv – эффективная плотность состоя- ний в валентной зоне, м-3. 3 3 ⎛ 2πmn kT ⎞ 16 ⎛ mn ⎞ 2 2 -3 N c = 2⎜ 2 ⎟ ≈ 0,5 ⋅ 10 ⎜ ⎟ T ,м ; (4.3) ⎝ h ⎠ ⎝ m ⎠ 3 3 ⎛ 2πm p kT ⎞ ⎛ m ⎞2 N v = 2⎜⎜ ⎟⎟ ≈ 0,5 ⋅ 1016 ⎜⎜ p ⎟⎟ T 2 , м-3; (4.4) 2 ⎝ h ⎠ ⎝ m ⎠ 33
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 31
- 32
- 33
- 34
- 35
- …
- следующая ›
- последняя »