Материаловедение и материалы электронных средств. Фролова Т.Н. - 34 стр.

UptoLike

Составители: 

34
где m
n
, m
p
эффективные массы электрона и дырки соответственно, кг;
h = 6,63·10
-34
Дж·спостоянная Планка; m = 9,1·10
-31
кгмасса электрона.
Концентрации электронов и дырок в примесных полупроводниках
=
kT
EE
nn
Fc
i
)(
exp , м
-3
;
(4.5)
=
kT
EE
np
vF
i
)(
exp , м
-3
;
(4.6)
где
E
c
энергия дна зоны проводимости, Дж; E
v
энергия потолка валент-
ной зоны, Дж;
E
F
энергия уровня Ферми, Дж.
Концентрации носителей заряда связаны с собственной концентра-
цией носителей соотношением
22
ii
pnnp == . (4.7)
Концентрации основных носителей n и p в электронном и дырочном
полупроводниках соответственно при температурах частичной иониза-
ции примесных атомов
kT
E
dc
d
e
NN
n
2
2
= ; (4.8)
kT
E
a
a
e
NN
p
2
2
υ
= , (4.9)
где
N
d
, N
a
концентрации донорных и акцепторных примесей, м
-3
;
E
d
, E
a
энергии активации донорных и акцепторных примесей соответст-
венно, Дж.
Концентрации основных носителей в примесных полупроводниках
при температурах полной ионизации атомов примеси и пренебрежимо низ-
кой концентрации собственных носителей
d
Nn ,
a
Np .
Концентрации основных и неосновных носителей в электронном по-
лупроводнике в области высоких температур
22
2
2
d
i
d
N
n
N
n ++
=
; (4.10)
22
2
2
a
i
a
N
n
N
p +
= . (4.11)