ВУЗ:
Составители:
34
где m
n
, m
p
– эффективные массы электрона и дырки соответственно, кг;
h = 6,63·10
-34
Дж·с – постоянная Планка; m = 9,1·10
-31
кг – масса электрона.
Концентрации электронов и дырок в примесных полупроводниках
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
−−
=
kT
EE
nn
Fc
i
)(
exp , м
-3
;
(4.5)
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
−−
=
kT
EE
np
vF
i
)(
exp , м
-3
;
(4.6)
где
E
c
– энергия дна зоны проводимости, Дж; E
v
– энергия потолка валент-
ной зоны, Дж;
E
F
– энергия уровня Ферми, Дж.
Концентрации носителей заряда связаны с собственной концентра-
цией носителей соотношением
22
ii
pnnp == . (4.7)
Концентрации основных носителей n и p в электронном и дырочном
полупроводниках соответственно при температурах частичной иониза-
ции примесных атомов
kT
E
dc
d
e
NN
n
2
2
−
= ; (4.8)
kT
E
a
a
e
NN
p
2
2
−
υ
= , (4.9)
где
N
d
, N
a
– концентрации донорных и акцепторных примесей, м
-3
;
E
d
, E
a
– энергии активации донорных и акцепторных примесей соответст-
венно, Дж.
Концентрации основных носителей в примесных полупроводниках
при температурах полной ионизации атомов примеси и пренебрежимо низ-
кой концентрации собственных носителей
d
Nn ≈ ,
a
Np ≈ .
Концентрации основных и неосновных носителей в электронном по-
лупроводнике в области высоких температур
22
2
2
d
i
d
N
n
N
n ++
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
=
; (4.10)
22
2
2
a
i
a
N
n
N
p −+
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
= . (4.11)
где mn, mp – эффективные массы электрона и дырки соответственно, кг; h = 6,63·10-34 Дж·с – постоянная Планка; m = 9,1·10-31 кг – масса электрона. Концентрации электронов и дырок в примесных полупроводниках ⎛ − ( Ec − EF ) ⎞ -3 n = ni exp⎜ ⎟, м ; (4.5) ⎝ kT ⎠ ⎛ − ( E F − Ev ) ⎞ -3 p = ni exp⎜ ⎟, м ; (4.6) ⎝ kT ⎠ где Ec – энергия дна зоны проводимости, Дж; Ev – энергия потолка валент- ной зоны, Дж; EF – энергия уровня Ферми, Дж. Концентрации носителей заряда связаны с собственной концентра- цией носителей соотношением np = ni 2 = pi 2 . (4.7) Концентрации основных носителей n и p в электронном и дырочном полупроводниках соответственно при температурах частичной иониза- ции примесных атомов Ed N c N d − 2 kT n= e ; (4.8) 2 Ea N υ N a − 2 kT p= e , (4.9) 2 где Nd, Na – концентрации донорных и акцепторных примесей, м-3; Ed, Ea – энергии активации донорных и акцепторных примесей соответст- венно, Дж. Концентрации основных носителей в примесных полупроводниках при температурах полной ионизации атомов примеси и пренебрежимо низ- кой концентрации собственных носителей n ≈ Nd , p ≈ Na . Концентрации основных и неосновных носителей в электронном по- лупроводнике в области высоких температур 2 ⎛N ⎞ N n = ⎜ d ⎟ + ni2 + d ; (4.10) ⎝ 2 ⎠ 2 2 ⎛N ⎞ N p = ⎜ a ⎟ + ni2 − a . (4.11) ⎝ 2 ⎠ 2 34
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- …
- следующая ›
- последняя »