Материаловедение и материалы электронных средств. Фролова Т.Н. - 36 стр.

UptoLike

Составители: 

36
где Iпротекающий ток, А; Bмагнитная индукция, Тл; μ
д
дрейфовая
подвижность носителей, м
2
·(В·с)
-1
; ρудельное сопротивление, Ом·м; h
толщина пластины, м;
R
н
= r/enкоэф-
фициент Холла, м
3
·Кл
-1
, знак которого
совпадает со знаком носителей заряда;
nконцентрация носителей заряда
(электронов или дырок), м
-3
; Aхолл-
фактор, учитывающий статистическое
распределение скоростей свободных
носителей, теоретически
A = 1,93 при
рассеянии носителей заряда на ионах
примеси и
A = 1,18 при рассеянии на
тепловых колебаниях решетки. В сильном магнитном поле коэффициент
Холла не зависит от механизма рассеяния и равен 1.
Магнитнорезистивный эффект. Изменение сопротивления полу-
проводника в магнитном поле обусловлено закручивающим действием
магнитного поля на движущиеся носители заряда. Магнитнорезистивный
эффект характеризуется коэффициентом
H, Тл
-2
B
BB
BB
H
σ
σσ
=
ρ
ρ
ρ
=
22
11
, (4.19)
где ρ
B
, σ
B
удельное электрическое сопротивление и удельная электриче-
ская проводимость полупроводникового образца вдоль электрического по-
ля при наложении поперечного магнитного поля индукцией
В.
В ограниченном полупроводнике в области слабых полей
Н постоян-
на, в области сильных полей
Н ~ В
-2
, что приводит к насыщению сопротив-
ления
.
Фотопроводимость. При освещении полупроводника плотность
добавочного фототока в стационарном состоянии
)(
ф
pneEj
pn
Δ
μ
+Δ
μ
= , А·м
-2
, (4.20)
где
E напряженность продольного электрического поля, В·м
-1
; Δn = Gτ
n
,
Δ
p = Gτ
p
концентрации фотовозбужденных электронов и дырок, м
-3
;
Gскорость генерации носителей, м
-3
с
-1
; τ
n
, τ
p
время жизни электронов и
дырок, с.
Эффект Зеебека состоит в возникновении электрического поля
Е
α
, В·м
-1
, в веществе, в котором создан градиент температуры Т, К·м
-1
:
T
E
α=
α
, (4.21)
Рис. 4.1. Эффект Холла