Методы анализа и расчета электронных схем. Ганский П.Н - 11 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

Унистор – это элемент, обладающий односторонней проводимостью.
Величина его проводимости в направлении стрелки записывается рядом со
стрелкой. Проводимость в направлении, встречном стрелке, соответствует
разрыву (см. рисунок 1.1 г).
I I I
1
I
2
U U U
1
U
2
а) б) в) г)
Рисунок 1.1
1.4.3 Полупроводниковый диод
Одним из наиболее распространенных элементов электронных схем
является полупроводниковый диод, условное обозначение его
представлено на рисунке 1.2.
i
u
Рисунок 1.2
Простейшая математическая модель которого для постоянного тока
может быть получена из уравнения диффузии в виде:
)1(
0
−=
mkT
qu
д
eIi , (1.1)
где q = 1.6022⋅10
-19
Кл – заряд электрона;
k = 1.3806⋅10
-23
Дж/К
°
– постоянная Больцмана;
Т – абсолютная температура;
m = 1 … 2,5;
u – напряжение, приложенное к диоду;
ϕ
Т
= Kt / q – тепловой потенциал;
I
0
– ток насыщения диода, зависящий от температуры:
−
=
=
T
K
T
д
e
T
II
1
293
1
3
293
00
293
ο
,
11
     Унистор – это элемент, обладающий односторонней проводимостью.
Величина его проводимости в направлении стрелки записывается рядом со
стрелкой. Проводимость в направлении, встречном стрелке, соответствует
разрыву (см. рисунок 1.1 г).

    I                        I                                  I1             I2



U                  U                                     U1                         U2

    а)                             б)                                     в)             г)

                                                               Рисунок 1.1


        1.4.3 Полупроводниковый диод

     Одним из наиболее распространенных элементов электронных схем
является полупроводниковый диод, условное обозначение его
представлено на рисунке 1.2.


                                                     i
                                                                    u

                                                               Рисунок 1.2

     Простейшая математическая модель которого для постоянного тока
может быть получена из уравнения диффузии в виде:
                       qu

         iд = I 0 (e   mkT
                             − 1) ,                                                           (1.1)

        где      q = 1.6022⋅10-19 Кл – заряд электрона;
                 k = 1.3806⋅10-23 Дж/К° – постоянная Больцмана;
                 Т – абсолютная температура;
                 m = 1 … 2,5;
                 u – напряжение, приложенное к диоду;
                 ϕТ = Kt / q – тепловой потенциал;
                 I0 – ток насыщения диода, зависящий от температуры:
                                                     3         1    1
                                 T = 293ο    T  K д  293 − T 
                  I0 = I         0                e               ,
                                             293 



                                                                                                 11

Страницы