ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
а) б)
Рисунок 1.4
В общем случае токи эмиттера и коллектора определяются
следующим образом:
+
′
−
′
=
+
′
−
′
=
УK
K
ЭNKK
УЭ
Э
КIЭЭ
R
u
iii
R
u
iii
α
α
, (1.3)
где
и – токи эмиттерного и коллекторного переходов,
определяемые по модели (1.1);
'
Э
i
'
К
i
α
I
, α
N
– коэффициенты обратной и прямой передачи тока
транзистора с общей базой;
R
У
, R
УК
– сопротивления утечки соответственно эмиттерного
и коллекторного переходов.
На основании моделей (1.1) и (1.3) можно записать
+−
′
−−
′
=
+−
′
−−
′
=
УК
К
m
u
ЭN
m
u
КК
УЭ
Э
m
u
КI
m
u
ЭЭ
R
u
eIeIi
R
u
eIeIi
ТЭ
Э
ТR
R
ТК
К
ТЭ
Э
)1()1(
)1()1(
00
00
ϕ
ϕ
ϕ
ϕ
α
α
, (1.4)
где
– токи насыщения переходов, определяемые аналогично
току I
00
,
КЭ
II
′′
0
из уравнения (1.1).
Эти токи могут быть выражены через паспортные данные I
Э0
и I
К0
,
измеряемые при обрыве соответственно коллектора и эмиттера:
IN
К
К
I
I
αα
−
=
′
1
0
0
и
IN
Э
Э
I
I
αα
−
=
′
1
0
0
. (1.5)
13
а) б) Рисунок 1.4 В общем случае токи эмиттера и коллектора определяются следующим образом: uЭ iЭ = iЭ′ − α I i К′ + R УЭ , (1.3) i = i ′ − α i ′ + u K K K N Э RУK где iЭ' и iК' – токи эмиттерного и коллекторного переходов, определяемые по модели (1.1); αI , αN – коэффициенты обратной и прямой передачи тока транзистора с общей базой; RУ, RУК – сопротивления утечки соответственно эмиттерного и коллекторного переходов. На основании моделей (1.1) и (1.3) можно записать uЭ uК u m Эϕ Т mК ϕТ iЭ = I Э′ 0 (e − 1) − α I I К′ 0 (e − 1) + Э RУЭ uR uЭ , (1.4) u iК = I К′ 0 (e m Rϕ Т − 1) − α N I Э′ 0 (e mЭϕ Т − 1) + К RУК где I Э′ 0 , I К′ 0 – токи насыщения переходов, определяемые аналогично току I0 из уравнения (1.1). Эти токи могут быть выражены через паспортные данные IЭ0 и IК0, измеряемые при обрыве соответственно коллектора и эмиттера: IК0 IЭ0 I К′ 0 = и I Э′ 0 = . (1.5) 1 − α Nα I 1 − α Nα I 13
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- …
- следующая ›
- последняя »