Методы анализа и расчета электронных схем. Ганский П.Н - 13 стр.

UptoLike

Составители: 

а) б)
Рисунок 1.4
В общем случае токи эмиттера и коллектора определяются
следующим образом:
+
=
+
=
УK
K
ЭNKK
УЭ
Э
КIЭЭ
R
u
iii
R
u
iii
α
α
, (1.3)
где
и токи эмиттерного и коллекторного переходов,
определяемые по модели (1.1);
'
Э
i
'
К
i
α
I
, α
N
коэффициенты обратной и прямой передачи тока
транзистора с общей базой;
R
У
, R
УК
сопротивления утечки соответственно эмиттерного
и коллекторного переходов.
На основании моделей (1.1) и (1.3) можно записать
+
=
+
=
УК
К
m
u
ЭN
m
u
КК
УЭ
Э
m
u
КI
m
u
ЭЭ
R
u
eIeIi
R
u
eIeIi
ТЭ
Э
ТR
R
ТК
К
ТЭ
Э
)1()1(
)1()1(
00
00
ϕ
ϕ
ϕ
ϕ
α
α
, (1.4)
где
токи насыщения переходов, определяемые аналогично
току I
00
,
КЭ
II
0
из уравнения (1.1).
Эти токи могут быть выражены через паспортные данные I
Э0
и I
К0
,
измеряемые при обрыве соответственно коллектора и эмиттера:
IN
К
К
I
I
αα
=
1
0
0
и
IN
Э
Э
I
I
αα
=
1
0
0
. (1.5)
13
                                       а)                              б)
                                                 Рисунок 1.4

     В общем случае токи эмиттера и коллектора определяются
следующим образом:

                            uЭ
      iЭ = iЭ′ − α I i К′ + R
      
      
                              УЭ
                                 ,                                          (1.3)
      i = i ′ − α i ′ + u K
       K    K     N Э
                             RУK

      где    iЭ' и iК' – токи эмиттерного и коллекторного переходов,
определяемые по модели (1.1);
            αI , αN – коэффициенты обратной и прямой передачи тока
транзистора с общей базой;
            RУ, RУК – сопротивления утечки соответственно эмиттерного
и коллекторного переходов.
      На основании моделей (1.1) и (1.3) можно записать

                      uЭ                          uК
                                                              u
                      m Эϕ Т                      mК ϕТ
      iЭ = I Э′ 0 (e        − 1) − α I I К′ 0 (e       − 1) + Э
                                                             RУЭ
                       uR                          uЭ
                                                                   ,        (1.4)
                                                              u
      iК = I К′ 0 (e
                      m Rϕ Т
                             − 1) − α N I Э′ 0 (e mЭϕ Т − 1) + К
                                                              RУК

      где I Э′ 0 , I К′ 0 – токи насыщения переходов, определяемые аналогично
току I0 из уравнения (1.1).
      Эти токи могут быть выражены через паспортные данные IЭ0 и IК0,
измеряемые при обрыве соответственно коллектора и эмиттера:

                    IК0                        IЭ0
      I К′ 0 =                и I Э′ 0 =                 .                  (1.5)
                 1 − α Nα I                 1 − α Nα I



                                                                              13