Методы анализа и расчета электронных схем. Ганский П.Н - 14 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

Коэффициенты обратной и прямой передачи тока транзистора с
общим эмиттером или общим коллектором обозначаются через β
I
и β
N
,
которые связаны с коэффициентами α
I
, α
N
следующими соотношениями:
β
N
= α
N
/(1- α
N
) и β
I
= α
I
/(1- α
I
) . (1.6)
Практическая нелинейная статическая модель транзистора, как и для
диода, дополняется слагаемыми, учитывающими сопротивления в толщине
полупроводникового материала (рисунок 1.4 б) [5].
Математическая модель в этом случае примет следующий вид:
∂
∂
+++−=
∂
∂
+++−=
t
u
СС
R
u
iii
t
u
CC
R
u
iii
К
бКдК
УK
K
NKK
Э
бЭдЭ
УЭ
Э
RIЭЭ
)(
)(
'
'
'`
''`
α
α
. (1.7)
14
     Коэффициенты обратной и прямой передачи тока транзистора с
общим эмиттером или общим коллектором обозначаются через βI и βN,
которые связаны с коэффициентами αI , αN следующими соотношениями:

     βN = αN /(1- αN)             и         βI = αI /(1- αI) .   (1.6)

     Практическая нелинейная статическая модель транзистора, как и для
диода, дополняется слагаемыми, учитывающими сопротивления в толщине
полупроводникового материала (рисунок 1.4 б) [5].
     Математическая модель в этом случае примет следующий вид:

                             uЭ                  ∂uЭ
       iЭ = iЭ
               '`
                  − α I iR
                          '
                            +     + (CдЭ  + CбЭ )
                             RУЭ                  ∂t
                                                        .       (1.7)
      i = i '` − α i ' + u K + (С + С ) ∂uК
       K     K       N '
                              RУK
                                       дК     бК
                                                    ∂t




                                                                    14

Страницы