Методы анализа и расчета электронных схем. Ганский П.Н - 12 стр.

     где       К д – эмпирический коэффициент;
           Т – текущая температура;
                           ο
            I 0T = 293 – ток насыщения диода при температуре Т=293° К.
          Приблизить теоретическую вольт-амперную характеристику
диода к реальной возможно вводом в математическую модель (1.1)
дополнительных слагаемых, которые позволят учесть процессы генерации
и рекомбинации носителей в обедненной зоне, влияние объемного
сопротивления полупроводника и инерционные свойства диода [5].
     Математическая модель в этом случае примет вид:
                    u
                   mϕ T            u              ∂u
     iд = I 0 (e          − 1) +      + (Сд + Сб ) ,              (1.2)
                                   RУ             ∂t

     где       Rу – сопротивление утечки перехода;
                                     u
                        Iτ
                   Cд = 0 e mϕ T – диффузионная емкость;
                       mϕT
                                                             n
                                                      ϕ 
                   Сб – барьерная емкость CБ = СБ 0  0  ;
                                                      ϕ0 − u 
             τ – время жизни неосновных носителей;
             ϕ0 – контактная разность потенциалов;
             n=1/2 – для резких; n=1/3 – для плавных p-n переходов;
             Сб0 – барьерная емкость при нулевом смещении перехода.
      Схема замещения диода, соответствующая модели (1.2), приведена
на рисунке 1.3.




                                               Рисунок 1.3


     1.4.4 Биполярный транзистор

     Следующим не менее распространенным элементом схемы является
биполярный транзистор. Схема нелинейной инжекционной модели
идеализированного транзистора структуры p-n-p , предложенная Эберсом
и Моллом, приведена на рисунке 1.4 а.



                                                                     12