Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 17 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

17
В отличие от равновесных избыточные носители могут
неравномерно распределяться по объему полупроводника, локализуясь
в отдельных его областях. Общая концентрация носителей при этом
определяется соотношениями
n=n
0
+
∆
n и р=p
0
+
∆
p для
полупроводников n- и р-типов соответственно.
В неравновесном состоянии полупроводника скорости
генерации и рекомбинации неодинаковы и происходит накопление или
рассасывание избыточных носителей в объеме полупроводника.
Например, в донорном полупроводнике изменение концентрации
неосновных носителей происходит по закону
() ( )
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
−=
τ
∆∆
t
exp0ptp
, (2.6)
где
∆
p(0) и
∆
p(t) - избыточные концентрации неосновных носителей в
начальный момент и момент времени
t.
При изучении данной темы рекомендуется литература [3,6,9,10].
Описание установки и методика эксперимента
2
3
4
5
6
PR
7
S1
S2
G
1
Установка (рис.3) содержит термостат 1, в котором помещены
исследуемые материалы: медь, антимонид индия, германий и кремний
(образцы 2-5). Температура измеряется термометром 6. В зависимости
от положения ключа S1 омметром PR измеряется сопротивление
образцов 2 или 3.
Для образцов 4 и 5 в
зависимости от положения
ключа S2 измеряют время
жизни неосновных
носителей заряда методом
модуляции проводимости.
Метод заключается в
следующем. Носители заряда
вводят в образец
полупроводника через
точечный контакт при
помощи импульса тока.
Рис.2.3

Страницы