Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 18 стр.

UptoLike

18
Спустя некоторое время
t
з
(время задержки) после окончания
инжектирующего импульса, в течение которого происходит
рекомбинация и диффузия инжектированных носителей, через образец
пропускается второй измерительный импульс тока. Падение
напряжения на образце наблюдается с помощью осциллографа 7.
На рис.4 показаны инжектирующий и измерительный
импульсы тока, проходящего через образец (а), и соответствующие им
импульсы напряжения (б). Уменьшение сопротивления
образца,
происходящее во время инжекции носителей, приводит к уменьшению
падения напряжения на образце, так как ток через образец остается
постоянным. Поэтому импульс напряжения не повторяет форму
импульса тока, а имеет спад, обусловленный возрастанием
концентрации носителей. По окончании первого инжектирующего
импульса тока процесс инжекции носителей в образец прекращается и
концентрация неравновесных носителей заряда начинает уменьшаться
за счет процесса рекомбинации. Этому соответствует увеличение
сопротивления образца и возвращение его к исходной величине. Закон
изменения сопротивления образца во времени можно
экспериментально определить, если измерять падение напряжения на
образце от второго, измерительного импульса тока от времени
задержки.
U
t
U
)(
U(t
з
)
I
t
t
з
Обозначим
максимальное значение падения
напряжения на образце,
соответствующее переднему
фронту первого импульса тока,
через
()
, а падение
напряжения в момент подачи
измерительного импульса - через
()
. Тогда разность
()
U
tU
( )
(
)
tUUtU =
есть
изменение падения напряжения
за счет существования
избыточной концентрации
неосновных носителей, которая изменяется со временем по закону
а
б
Рис.2.4
()
=
τ
t
expCtU
, (2.7)