Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 19 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

19
где
С - некоторая постоянная.
(
)
∞
U
Фиксируя
и изменяя время задержки, можно построить
зависимость
(
)
з
tfUln
=
∆
и по ее наклону найти время жизни
носителей заряда
(
)
dt
Ulnd1
∆
τ
−= .
На рис.2.4,б пунктирные линии показывают уровни
напряжений
(
)
(
)
и экспоненциальную зависимость изменения
()
со временем.
tU,U ∞
tU
Лабораторное задание
1. Для исследуемых образцов в диапазоне температур 20
0
- 100
0
С
снять экспериментальные зависимости сопротивления
(
)
TR (для меди и
антимонида индия) и измерить падение напряжения на образце
(
)
з
tfU
=
∆
(для германия и кремния).
2. По наклону зависимостей
(
)
з
tfUln
=
∆
определить время жизни
носителей
τ
в германии и кремнии.
3. По наклону зависимости
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
=
T
1
fln
τ
для кремния определить
положение ГУ запрещенной зоне полупроводника
(
)
tc
EE
−
в эВ.
Экстраполируя эту зависимость в область низких температур при
, определить
t
TT =
0p
ln
τ
( взять из табл.1), экстраполируя в точку
t
T
0
T
1
= , - определить
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
d
c
0p
N
N
ln
τ
.
Таблица 2.1
Полупроводник
Параметры Германий Кремний Антимонид
индия
*
е
m
, отн. ед.
*
p
m
, отн.ед.
∆
, эВ (300К)
t
T
, К
0,22
0,31
0,72
233
0,33
0,56
1,1
150
0,013
0,6

Страницы