ВУЗ:
Рубрика:
20
4. Определить
0p
d
c
0p
d
c
ln
N
N
ln
N
N
ln
ττ
−
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
=
и по формуле (2.4)
рассчитать положение уровня Ферми для кремния при
T=300К в эВ.
5. Оценить погрешность измеренных физических величин.
Контрольные вопросы
1. Расскажите о зонной структуре металлов, полупроводников,
диэлектриков.
2. Объясните температурную зависимость сопротивления металлов с
точки зрения квантовой теории.
3. Каков механизм проводимости собственных и примесных
полупроводников?
4. Какое физическое явление используется для измерения времени
жизни неосновных носителей
в полупроводниках в данной работе?
5. Чем объясняется температурная зависимость времени жизни
неосновных носителей?
6. Что такое рекомбинационно - генерационные центры (ГУ) и чем
они отличаются от донорных и акцепторных уровней?
7. Объясните, какое влияние оказывают ловушки на время жизни
носителей в полупроводниках.
8. Во сколько раз изменится при повышении температуры от
300К до
310К проводимость: а) металла, б) собственного полупроводника, у
которого ∆
Е=0,3 эВ? Каков характер изменения в обоих случаях?
9. Объясните: как меняется концентрация равновесных носителей в
донорном полупроводнике с повышением температуры.
Работа №3
Исследование вольт-амперной характеристики
электронно - дырочного перехода
Цель работы
Исследование вольт - амперной характеристики (ВАХ)
полупроводниковых диодов на основе кремния, германия, арсенида
галлия и фосфида галлия. Определение контактной разности
потенциалов. Расчет теоретической ВАХ исследуемых диодов.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- …
- следующая ›
- последняя »
