Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 26 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

26
ВАХ характеризуется следующими параметрами: - кривизна
восходящей ветви (определяется тангенсом угла наклона прямой ветви
ВАХ);
- контактная разность
потенциалов;
U
SiGe
I
Ge
Si
0
I
02
I
01
ϕ
k1 k2
ϕ
Рис.3.2
- коэффициент
выпрямления,
который определяется
как отношение
прямого и обратного
токов при напряжении
|
U
|
=1В
B1U
I
I
k
=
−
+
=
.
Один из важнейших параметров прямой ветвей ВАХ-
дифференциальное сопротивление перехода
IdI
dU
r
t
ϕ
==
.
Физический смысл этого параметра становится ясным, если заменить
дифференциалы
dU и dI конечными приращениями, тогда
IrU
∆
∆
= .
Таким образом,
r
-есть сопротивление для приращения тока
I
∆
,
малых по сравнению с постоянной состовляющей тока
I
,
определяющей величину
r
.
Типичным значением, которое полезно запомнить, является
r=25 Ом, соответствующее току I = 1 мА.
ВАХ р-n-перехода зависит от концентрации легирующей
примеси. Необходимое распределение доноров и акцепторов можно
осуществить различными технологическими приемами. Наибольшее
практическое применение нашли способы вплавления, диффузии,
ионной имплантации эпитаксиального выращивания и др.
При изучении данной темы рекомендуется литература [2,7,10].

Страницы