Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 27 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

27
Описание установки
Схема электрической функциональной установки изображена
на рис.3. Установка содержит источник напряжения G,
миллиамперметр РА, вольтметр РV и макет с контактными гнездами,
переменным резистором R1 и набором диодов VD1...VD4,
изготовленных на основе разных полупроводниковых материалов.
Диод VD1 - на основе арсенида галлия (GaAs); VD2 - фосфида
галлия (GaP); VD3 - кремния (Si); VD4 - германия (Ge). Резисторы
R2...R5-ограничительные.
На рис.3 показано
включение приборов для исследования
прямой ветви ВАХ. При исследовании обратной ветви полярность
источника постоянного напряжения и полярность включения
миллиамперметра и вольтметра необходимо поменять на обратные.
ВНИМАНИЕ! Для диода VD2 исследуется только прямая
ветвь ВАХ. Исследуемый диод последовательно через миллиамперметр
и переменный резистор R1 подключается к источнику напряжения;
параллельно к исследуемому диоду подключается вольтметр.
R5
PV
R1
R2
R3
R4
PA
2
1
4
3
4
3
2
1
1
2
1
2
3
3
VD1
VD2 VD3 VD4
G
S1.2
S2.2
S2.1
S1.1
Рис.3.3
Лабораторное задание
1. Экспериментально снять прямую и обратную ветви ВАХ
исследуемых диодов VD1...VD4.
2. Используя табличные данные (табл.1), рассчитать и построить
теоретическую ВАХ для каждого из диодов VD1 - VD4.

Страницы