Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 28 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

28
3. Используя экспериментальные данные, рассчитать и построить
график зависимости сопротивления р-n-перехода от приложенного
напряжения
U, определить ток насыщения I
0
и контактную разность
потенциалов
ϕ
k
исследованных диодов (см. рис.3.2).
4. Оценить погрешность измерений тока насыщения
I
0
и
сопротивления р-n-перехода.
Параметры исследуемых материалов р-n-перехода смотреть в
таблице 3.1
Таблица 3.1
Параметр Si Ge
L
n
, см
L
p
, см
D
n
, см
2
/с
D
p
, см
2
/с
p
n0
, см
-3
n
p0
, см
-3
S, cм
2
∆
E, эВ
0,04 - 0,1
0,02 - 0,06
34
13
1,5
⋅10
2
10
2
1⋅10
-5
1,1
0,1 - 0,3
0,07 - 0,2
99
47
4,5
⋅10
8
10
8
1⋅10
-5
0,72
Контрольные вопросы
1. Что такое зона проводимости, валентная зона, запрещенная зона?
2. Дайте определение основных и неосновных носителей заряда в
полупроводнике.
3. Понятие о собственном полупроводнике, полупроводнике n- и р-
типа.
4. Объясните собственную и примесную проводимости
полупроводников.
5. Что называется энергией Ферми?
6. От чего зависит энергия Ферми?
7. Объясните механизм появления контактной разности потенциалов.
8. Объясните ВАХ р-n-перехода.
9. От чего зависит сопротивление р-n-перехода?
10. Объясните выпрямляющие свойства р-n-перехода.
11. Показать, каким образом ширина запрещенной зоны
полупроводников влияет на ВАХ полупроводниковых диодов.
12. Чем определяется величина тока насыщения р-n-перехода?
Объясните температурную зависимость тока насыщения.

Страницы