Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 30 стр.

UptoLike

30
N
a
N
d
N
p
p
n
n
p
n
n
p
Рис.4.1
Поскольку p-область заряжается отрицательно относительно n-
области, в этих областях происходит искривление энергетических зон
на величину потенциального барьера высотой
k
q
ϕ
(рис.4.2):