Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 3 стр.

UptoLike

3
Введение
В числе естественно - научных дисциплин учебного плана
многоуровневой подготовки специалистов по направлению
«Проектирование и технология электронных средств», специальность
«Конструирование и технология электронно-вычислительных средств»,
важное место занимает курс «Физические основы микроэлектроники».
Курс рассчитан на 85 часов аудиторных занятий, в том числе
51 час лекций и 17 часов лабораторных работ и является одним из
основополагающих для общепрофессиональных и специальных
дисциплин указанного направления.
Данный курс предусматривает ознакомление студентов со
специфическими для современной микроэлектроники явлениями и
процессами, происходящими в твердых телах, а также в
полупроводниковых структурах: р-n-переход, контакт металл-
полупроводник; металл-диэлектрик-полупроводник и др.
В данном руководстве предложены описания шести
лабораторных работ:
1. Изучение эффекта Холла.
2. Изучение температурной зависимости свойств металлов и
полупроводников.
3. Исследование вольт-амперной характеристики электронно -
дырочного перехода.
4. Электрофизические свойства электронно-дырочных переходов,
смещенных в обратном направлении.
5. Исследование проводимости МДП-структур.
6. Исследование электрофизических свойств границы раздела
диэлектрик - полупроводник в МДПструктуре.
Каждая из работ рассчитана на 4 часа лабораторных
занятий.
Поскольку работы проводятся практически одновременно со
чтением курса лекций, отсутствует фронтальный метод выполнения
лабораторных работ и определенная их часть выполняется до
прослушивания лекций по соответствующим разделам курса. При
составлении руководства авторы посчитали необходимым расширить
теоретическую часть работ.