Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

4
Работа №1
Изучение эффекта Холла
Цель работы
Исследование эффекта Холла в полупроводниках.
Определение электрофизических параметров полупроводников.
Теоретическая часть
Гальваномагнитные явления возникают в твердотельных
проводниках при помещении их в магнитное поле. Наиболее
существенны эти явления в случаях, когда магнитное поле
перпендикулярно плоскости тока. При этом отчетливо проявляются
магниторезистивный эффект и эффект Холла.
Основной причиной
гальваномагнитных явлений является
искривление траектории носителей зарядов под воздействием силы
Лоренца. Мерой влияния магнитного поля на движение носителей
заряда является отношение длины свободного пробега носителей
λ
к
радиусу кривизны r траектории заряженной частицы в поле с
индукцией В. Радиус кривизны траектории определяется соотношением
Bq
m
r
*
ϑ
=
,
где
- эффективная масса носителя заряда; q - элементарный заряд;
*
m
ϑ
- скорость движения носителя.
Положим, что r=
λ
, тогда соответствующее магнитное поле
λ
ϑ
q
m
B
*
0
=
служит критерием оценки силы магнитного поля. По отношению к
гальваномагнитным явлениям поле считается слабым, если В<<В
0
, и
сильным, если В>>В
0
. В случае сильных полей в промежутках между
последовательными столкновениями носителей заряда с решеткой

Страницы