Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 47 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

47
Si - n - тип
Исток
p
+
p
+
Затвор
Сток
SiО
2
SiО
2
SiО
2
а
+
+
-
-
Si - n - тип
индуцированный канал р - типа
c
U
p
+
p
+
з
U
б
Экспериментальное исследование проводимости МДП-
структуры проведем на примере модуляции проводимости канала
МДП-транзистора с изолированным затвором. Вольт-амперная
стоковая характеристика МДП-транзистора с изолированным затвором
описывается формулой
Рис.5.6
()
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
−−
⋅
=
2
U
UUU
dL
z
I
2
c
cзотпз
d0
c
εµε
, (5.20)
где
z
и - ширина и длина канала; - толщина слоя окисла под
затвором;
L d
µ
- подвижность носителей в канале;
0
ε
- диэлектрическая
проницаемость вакуума,
d
ε
- диэлектрическая проницаемость
диэлектрика. Семейство стоковых характеристик МДП - транзистора
показано на рис.7.
(
При
)
зотпзc
UUU
−
<
< , как с из формулы (5.20), стоковая
характеристика представляется в виде
ледуют

Страницы