Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 48 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

48
мА,I
c
З4
U
З1
B,U
c
U
U
З2
З3
U
()
cзотпзdc
UUUC
L
z
I −=
µ
,
где
зdc
UUUC
L
z
I −=
µ
,
где
(5.21) (5.21)
d
C
0d
d
εε
=
- емкость на единицу площади за
твора;
()
d
bs0
2qN2
2U
ϕεε
ϕ
+= ; (5.22)
bзотп
C
концентрация основной легирующей примеси в полупроводнике. В
N -
случае
()
зотпзc
UUU
−
<< величина I
с
пропорц
линейная область стоко
иональна U
с
, на рис.5.7
этому соответствует вой характеристики. В
той об ов а
S дел
э ласти пр одимость канал
σ
и крутизна опре яются как
),UU(C
z
dI
c
−==
µσ
(5.23)
LdU
зотпзd
constU
c
з
=
.UC
L
z
dU
dI
S
cd
constUc
з
c
µ
==
=
(5.24)
Таким образом, выражение (23) связывает величину
проводимости канала МДП - транзистора с напряжением на затворе.
Рис.5.7

Страницы