ВУЗ:
Рубрика:
50
твии
со
ме
осц
зат
хар
опр н ю
п
ь теоретическую
зав области выходных
затворе (данные о
геометрических размерах -транзистора получить у
преподавателя).
и
пове
2. Зависимость по ти полупроводника n-
типа от величины иала.
3. Зависимость поверхн имости полупроводника р-
типа от величины по тенциала.
4. п с
аметры и
характеристики.
6. -транзистор со Основные параметры
и характеристики.
7. В а
Лабораторное задание
1. Подключить приборы к лабораторной установке в соответс
мой (рис.5.8).
схе
2. Включить вольтметр и осциллограф, которым необходимо не
15 мин. для прогрева до начала измерений.
нее
3. Откалибровать вертикальный и горизонтальный каналы
лографа.
ил
4. Включить лабораторную установку в сеть переменного тока.
Задавая потенциометром различные значения напряжен
5. ия на
воре, снять семейство
стоковых (выходных) вольт-амперных
еристик полевого транзистора
акт с изолированным затвором.
6. Используя выходные характеристики в линейной области,
лить и пост
еде роить экспериме тальну зависимость
роводимости канала от напряжения на затворе.
Рассчитать по формуле (5.23) и построит
7.
исимость проводимости канала в
линейной
характеристик от величины напряжения на
МДП
Контрольные вопросы
1. Понятие эффекта поля. Выражение для объемной
рхностной проводимости полупроводника.
верхностной проводимос
поверхностного потенц
остной провод
верхностного по
Зависимость поверхностной роводимо ти собственного
полупроводника от величины поверхностного потенциала.
5. МДП-транзистор с индуцированным каналом. Основные
пар
МДП
встроенным каналом.
иды областей пространственного заряд у поверхности
полупроводника. Энергетические диаграммы.
8. Порядок проведения измерений.
9. Порядок выполнения лабораторного задания.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- …
- следующая ›
- последняя »
